Semi - aislando, substrato del GaAs, 2", grado mecánico
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1-10,000pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10.000 obleas/mes
Plazo de expedición:5-50 días laborables
Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solo envase, bajo atmósfera del nitr
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Xiamen Fujian China
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#506B, centro de negocios de Henghui, No.77, Lingxia Nan Road, zona de alta tecnología, Huli, Xiamen 361006, China
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Semiaislante, substrato del GaAs, 2", grado mecánico
PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y la tecnología de proceso de la oblea del arseniuro de galio (GaAs). Las propiedades eléctricas requeridas son obtenidas añadiendo dopantes tales como silicio o cinc. El resultado es n-tipo o p-tipo de alta resistencia (>10^7 ohm.cm) o la bajo-resistencia (<10 -="" 2="" ohm="">
Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de la conducción | Aislamiento | |
| Método del crecimiento | VGF | |
| Dopante | Sin impurificar | |
| Oblea Diamter | 2, pulgada | Lingote disponible |
| Orientación cristalina | (100) +/- 0.5° | |
| DE | EJ, los E.E.U.U. o muesca | |
| Concentración de portador | n/a | |
| Resistencia en el RT | >1E7 Ohm.cm | |
| Movilidad | >5000 cm2s/V.sec | |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <8000> | |
| Marca del laser | a petición | |
| Final superficial | P/P | |
| Grueso | 350~675um | |
| Epitaxia lista | Sí | |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea | |
Propiedades del cristal del GaAs
| Propiedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atómico | 144,63 |
| Campo de la avería | aproximadamente 4 x 105 |
| Estructura cristalina | Zincblende |
| Densidad (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dieléctrica | 13,1 |
| Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidad de electrón (v) | 4,07 |
| Energía Gap en 300K (eV) | 1,424 |
| Concentración de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Longitud de Debye intrínseca (micrones) | 2250 |
| Resistencia intrínseca (ohmio-cm) | 108 |
| Constante del enrejado (angstromes) | 5,6533 |
| Coeficiente linear de extensión termal, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | |
| Punto de fusión (DEG C) | 1238 |
| Curso de la vida del portador de minoría (s) | aproximadamente 10-8 |
| Movilidad (deriva) | 8500 |
| (cm2s de /V-s) | |
| µn, electrones | |
| Movilidad (deriva) | 400 |
| (cm2s de /V-s) | |
| µp, agujeros | |
| Energía óptica (eV) del fonón | 0,035 |
| Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) | |
| Conductividad termal en 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) | |
| Difusibilidad termal (cm2/sec) | 0,24 |
| Presión de vapor (Pa) | 100 en 1050 DEG C; |
| 1 en 900 DEG C |
| Longitud de onda | Índice |
| (µm) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
¿Cuál es oblea del GaAs?
El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del hueco de banda de III-V con una estructura cristalina de la blenda de cinc.
La oblea del GaAs es un material importante del semiconducor. Pertenece para agrupar el semiconductor de compuesto de III-V. Es un tipo estructura de la esfalerita de enrejado con un constante del enrejado de 5.65x 10-10m, un punto de fusión del ℃ 1237 y un hueco de banda de 1,4 EV. El arseniuro de galio se puede hacer en semi el aislamiento de los altos materiales de la resistencia con resistencia más arriba que el silicio y el germanio por más de tres órdenes de magnitud, que se pueden utilizar para hacer el substrato del circuito integrado, el detector infrarrojo, el detector del fotón del γ, el etc. Porque su movilidad de electrón es 5-6 mide el tiempo de más grande que el del silicio, ha sido ampliamente utilizada en dispositivos de la microonda y circuitos digitales de alta velocidad. El dispositivo de semiconductor hecho del GaAs tiene las ventajas de la resistencia el de alta frecuencia, da alta temperatura y baja de la temperatura, de poco ruido y fuerte de radiación. Además, puede también ser utilizado para hacer los dispositivos del efecto a granel.
¿Cuál es las propiedades termales de la oblea del GaAs?
| Módulo a granel | 7,53·cm2s de 1011 dyn |
| Punto de fusión | °C 1240 |
| Calor específico | 0,33 J g-1°C -1 |
| Conductividad termal | 0,55 °C -1 de W cm-1 |
| Difusibilidad termal | 0.31cm2s-1 |
| Extensión termal, linear | 5,73·10-6 °C -1 |
| Dependencia de la temperatura de la conductividad termal n-tipo muestra, ninguna (cm-3): 1. 1016; 2. 1,4·1016; 3. 1018; p-tipo muestra, po (cm-3): 4. 3·1018; 5. 1,2·1019. | |
| Dependencia de la temperatura de la conductividad termal (para la
temperatura alta) n-tipo muestra, ninguna (cm-3): 1. 7·1015; 2. 5·1016; 3. 4·1017; 4. 8·1018; p-tipo muestra, po (cm-3): 5. 6·1019. | |
| Dependencia de la temperatura del calor específico en la presión
constante Ccl= 3kbN = 0,345 J g-1°C -1. N es el número de átomos en 1 og GaAs de g. Línea discontinua: Cp= (4π2Ccl/5θo3)·T3 para el θo= 345 K. | |
| Dependencia de la temperatura del α linear del coeficiente de la
extensión |
| Punto de fusión | Tm=1513 K |
| Para 0 < P=""> | Tm= 1513 - 3.5P (P en kbar) |
| Presión de vapor saturado | (en PASCAL) |
| K 1173 | 1 |
| K 1323 | 100 |
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PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas del GaAs, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas del GaAs que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
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