4" capa epitaxial/fósforo del silicio de Instrinct de la capa superior de la oblea del silicio dopó el submarino del silicio de la capa de la implantación de ion de la capa

4" capa epitaxial/fósforo del silicio de Instrinct de la capa superior de la oblea del silicio dopó el submarino del silicio de la capa de la implantación de ion de la capa

La oblea epitaxial del silicio es una capa de silicio del solo cristal depositado sobre una oblea de silicio del solo cristal (nota: está disponible crecer una capa de capa cristalina polivinílica del silicio encima altamente solo dopada de una oblea de silicio cristalina, pero necesita capa del almacenador intermediario (tal como óxido o polivinílico-Si) entre el substrato del Si del bulto y la capa epitaxial superior)

La capa epitaxial se puede dopar, mientras que se deposita, a la concentración de doping exacta mientras que continúa la estructura cristalina del substrato.

Resistencia del Epilayer: <1 ohm-cm="" up="" to="" 150="" ohm-cm="">

Grueso del Epilayer: < 1="" um="" up="" to="" 150="" um="">

Estructura: N/N+, N-/N/N+, N/P/N+, N/N+/P-, N/P/P+, P/P+, P-/P/P+.

Uso de la oblea: Digitaces, lineares, poder, MOS, dispositivos de BiCMOS.

Nuestras ventajas de un vistazo

1. Equipo avanzado del crecimiento de la epitaxia y equipo de prueba.

2. Ofrezca el más de alta calidad con densidad baja del defecto y buena aspereza superficial.

3. Ayuda fuerte del equipo de investigación y ayuda de tecnología para nuestros clientes

La oblea epitaxial de PAM-XIAMEN mantiene especificaciones:

• Diámetros: 50m m, 75m m, 100m m, 125m m, 150m m

• Orientación de la oblea: <100> <111>, <110>

• Grueso de EPI: los 4μm al 150μm

• Dopantes: Arsénico, fósforo, boro

• Gamas típicas de la resistencia

• 0,05 – 1.200 ohmio-cm

• 3000 – 5.000 ohmio-cm (capas intrínsecas)

4" capa epitaxial/del silicio de Instrinct de la capa superior de la oblea del silicio substrato dopado fósforo de la capa/silicio de la implantación de la capa/ion

¿Cuál es oblea del epi del silicio?

La epitaxia es un proceso en el cual una capa monocristalina adicional del silicio se deposita encendido a la superficie cristalina pulida de una oblea de silicio. Este proceso permite seleccionar las propiedades materiales independientemente del substrato pulido, y por lo tanto crear las obleas que tienen diversas propiedades en el substrato y la capa epitaxial. En muchos casos esto es necesario para la función del componente del semiconductor.

PAM-XIAMEN puede ofrecerle tecnología y la ayuda de la oblea, para más información, visita por favor nuestra página web: https://www.powerwaywafer.com,

envíenos el correo electrónico en sales@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com

La calidad es nuestra primera prioridad. PAM-XIAMEN ha sido ISO9001: 2008, posee y comparte cuatro facories modernos que puedan proporcionar muy una gama grande de productos calificados para cubrir diversas necesidades de nuestros clientes, y cada orden tiene que ser manejado a través de nuestro sistema de calidad riguroso. El informe de prueba se proporciona para cada envío, y cada oblea es garantía. Antes de 1990, nos indican poseímos el centro de investigación condensado de la física de la materia. En 1990, el material avanzado puesto en marcha de centro Co., Ltd (PAM-XIAMEN), ahora de Xiamen Powerway es fabricante principal de material del semiconductor compuesto en China.

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.