Oblea de GaSb usada para los detectores infrarrojos, LED y lasers infrarrojos y transistores, y sistemas de Thermophotovoltaic

Oblea de GaSb usada para los detectores infrarrojos, LED y lasers infrarrojos y transistores, y sistemas de Thermophotovoltaic

Descripción de producto

PAM-XIAMEN ofrece la oblea de GaSb del semiconductor compuesto – antimoniuro de galio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).

El antimoniuro de galio (GaSb) es un compuesto semiconductor del galio y del antimonio de la familia de III-V. Tiene un constante del enrejado de cerca de 0,61 nanómetros. GaSb se puede utilizar para los detectores infrarrojos, el LED y los lasers infrarrojos y los transistores, y los sistemas thermophotovoltaic.

especificación de la oblea de GaSb de 4 ″

1)″ 2 (50.8m m), oblea de GaSb de 3 ″ (76.2m m)

Orientación: (100) ±0.5°
Grueso (μm): 500±25; 600±25
Tipo/dopante: P/undoped; P/Si; P/Zn
Nc (cm-3): (1~2) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 600~700
Método del crecimiento: CZ
Polaco: SSP

2)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (100) ±0.5°
Grueso (μm): 500±25; 600±25
Tipo/dopante: N/undoped; P/Te
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP

3)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (111) A±0.5°
Grueso (μm): 500±25
Tipo/dopante: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP

4)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (111) B±0.5°
Grueso (μm): 500±25; 450±25
Tipo/dopante: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP

5)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (111) B 2deg.off
Grueso (μm): 500±25
Tipo/dopante: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP

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El antimoniuro de galio (GaSb) se puede suministrar como obleas los finales del como-corte, grabado al agua fuerte o pulido y está disponible en una amplia gama de concentración, de diámetro y de grueso de portador.

El material de GaSb presenta las propiedades interesantes para los dispositivos thermophotovoltaic de (TPV) del solo empalme. GaSb: El solo cristal de Te crecido con Czochralski (Cz) o métodos modificados del chralski de Czo- (MES-CZ) se presenta y el problema de la homogeneidad de Te se discute. Pues la movilidad de portador es uno de los puntos claves para el cristal a granel, se realizan las medidas de Pasillo. Presentamos aquí algunos progresos complementarios basados en el punto de vista del tratamiento de materiales: el crecimiento cristalino a granel, la preparación de la oblea, y la aguafuerte de la oblea. Los pasos subsiguientes después de éstos se relacionan con el p/ninguna elaboración del empalme de r n/p. Algunos resultados obtenidos para diversos acercamientos de capa delgada de la elaboración se presentan. Tan del proceso de difusión simple de la fase de vapor o del proceso líquido de la epitaxia de la fase hasta el proceso orgánico de la deposición de vapor químico del metal divulgamos una cierta especificidad material.

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.