Oblea sin impurificar de InSb, 2", oblea pulida, Epi listo

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PAM-XIAMEN fabrica las obleas de InSb del solo cristal de la pureza elevada (antimoniuro del indio) para los fotodiodos o dispositivo photoelectromagnetic, los sensores del campo magnético usando magnetorresistencia o los transistores de effecto hall, rápidos (en términos de transferencia dinámica) debido a la alta movilidad de portador de InSb, en algunos de los detectores de la cámara infrarroja del arsenal en el telescopio espacial de Spitzer. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 1 pulgada a 3 pulgadas, obleas se pueden producir en los diversos gruesos y diversas orientaciones (100), (111), (110) con las obleas pulidas y las obleas en blanco. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado mecánico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen el material de InSb a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.

Oblea sin impurificar de InSb, 2", oblea pulida, Epi listo

Parámetros básicos en 300 K de la oblea de InSb

¿Usted está buscando una oblea de InSb?

¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas de InSb, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.