La oblea sin impurificar de InSb, 2", como - corte la oblea, la oblea mecánica, o la oblea pulida

 
Oblea sin impurificar de InSb, 2", oblea del Como-corte, oblea mecánica, u oblea pulida
 

PAM-XIAMEN proporciona crecimiento de la oblea de InSb del solo cristal (antimoniuro del indio) por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC). El antimoniuro del indio (InSb) se puede suministrar como obleas los finales del como-corte, grabado al agua fuerte o pulido y está disponible en una amplia gama de concentración de portador, el diámetro y thickness.PAM-XIAMEN pueden proporcionar la oblea lista de InSb del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE.

Oblea sin impurificar de InSb, 2", oblea del Como-corte, oblea mecánica, u oblea pulida

Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.

 
Concentración de la estructura y de portador de banda de oblea de InSb

La concentración de la estructura y de portador de banda de oblea de InSb incluye parámetros básicos, temperatura, dependencias, la dependencia de la energía Gap de la presión hidrostática, masas eficaces, donantes y aceptadores

Parámetros básicos
Dependencias de la temperatura
Dependencia de la energía Gap de la presión hidrostática
Masas eficaces
Donantes y aceptadores

Parámetros básicos

Dependencias de la temperatura

Dependencia de la temperatura del hueco de energía

Eg. = 0,24 - 6·10-4·T2/(T+500) (eV),
donde está temperaturas T los grados K (0 < T="">  

Densidad eficaz de estados en la banda de conducción

Nc~ 8·1012·T3/2 (cm-3)

Densidad eficaz de estados en la banda de la valencia

Nn ~ 1,4·1015·T3/2 (cm-3).

Concentración de portador intrínseco

ni = (Nc·Nν) 1/2exp (- Eg/(2kbT))
Para 200K < T="">  

Dependencias de la presión hidrostática

Eg. ≈Eg. (0) + 13,7·10-3P - 3,6·10-5P2 (eV)
EL≈EL (0) + 4,7·10-3P - 1,1·10-5P2 (eV)
EX≈EX (0) - 3,5·10-3P + 0,64·10-5P2 (eV),
donde está presión P en kbar.

Masas eficaces

Donantes y aceptadores

Energías de ionización de los donantes bajos ~0,0007 (eV):

SE, S, Te.

Energías de ionización de los aceptadores bajos (eV):

¿Usted está buscando un substrato de InSb?

PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas de InSb, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas de InSb que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.