Tipo de N, substrato de InSb, 3", grado simulado - semiconductor compuesto

N mecanografía, el substrato de InSb, 3", el grado simulado

PAM-XIAMEN fabrica las obleas de InSb del solo cristal de la pureza elevada (antimoniuro del indio) para los fotodiodos o dispositivo photoelectromagnetic, los sensores del campo magnético usando magnetorresistencia o los transistores de effecto hall, rápidos (en términos de transferencia dinámica) debido a la alta movilidad de portador de InSb, en algunos de los detectores de la cámara infrarroja del arsenal en el telescopio espacial de Spitzer. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 1 pulgada a 3 pulgadas, obleas se pueden producir en los diversos gruesos y diversas orientaciones (100), (111), (110) con las obleas pulidas y las obleas en blanco. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado mecánico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen el material de InSb a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.

N mecanografía, el substrato de InSb, 3", el grado simulado

Propiedades ópticas de la oblea de InSb

Índice de refracción infrarrojo

Para 120K < T < 360K dn/dT = 1,6·10-11·n

Un MeV de la energía RX1= 0,5 de Rydberg del estado de tierra.

¿Usted está buscando un substrato de InSb?

PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas de InSb, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas de InSb que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.