Oblea del arseniuro del indio por LEC como grado listo o mecánico del epi con el tipo tipo de p o semi aislamiento de n en diverso Oriente
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Oblea del arseniuro del indio por LEC como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diverso Oriente
Produktbeschreibung
INP-oblea del bietet de PAM-XIAMEN - Indiumphosphid muere als que oder epi-listo mechanischen el n-Typ del mit de Typen, halbisolierend del durch LEC (Czochralski encapsulado líquido) oder VGF (helada vertical de la pendiente) de oder del p-Typ en el unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) aufgewachsen.
Ist del zusammengesetzt del fósforo del und del indio del aus de Halbleiter del binärer del ein de los ist de Indiumphosphid (InP). El eine del sombrero del Es kubisch-flächenzentrierten (blenda de cinc del „") Kristallstruktur, dem von GaAs del mit del identisch que muere el und meisten los semiconductores del der III-V. El hergestellt del bei 400 de Indiumiodid del und de Reaktion von weißem Phosphor del der del aus del kann de Phosphid del indio [Klärungsbedarf] werden, el ° C. [5], der de Kombination del direkte del durch de Auch gereinigten el bei de Elemente hohen el und Phosphid de Trialkyl Indiumverbindung del einem del aus de Gemisches de los eines de Zersetzung del thermische del durch de Druck oder del und de Temperatur. El wird del INP en arrastrero del wegen de Hochfrequenzelektronik del und de Hochleistungs- [Bearbeiten] berlegenen Elektronengeschwindigkeit en el und Galliumarsenid de Halbleiter Silizium del blichere del auf das de Bezug.
Los ist de Hier mueren ausfhrliche Beschreibung:
2" (50,8 milímetros) oblea-Spezifikation del INP
3" especificación del INP de la oblea (76,2 milímetros)
4" INP Specificatio de la oblea (100 milímetros)
Oblea del arseniuro del indio por LEC como grado listo o mecánico del epi con el tipo tipo de p o semi aislamiento de n en diverso Oriente
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