El tipo de P, Zn-dopó a solo Crystal InAs Wafer, 2", grado de la prueba

P mecanografía, la oblea de InAs, 2", grado de la prueba

PAM-XIAMEN ofrece la oblea de InAs – arseniuro del indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o sin impurificar en diversa orientación (111), (100) o (110). PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista de InAs del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.

2" especificación de la oblea de InAs

¿Cuál es el proceso de InAs?

Las obleas de InAs se deben preparar antes de la fabricación del dispositivo. Para comenzar, deben ser limpiadas totalmente para quitar cualquier daño que pudiera haber ocurrido durante el proceso rebanador. Las obleas entonces químicamente mecánicamente se pulen/Plaranrized (CMP) para la etapa material final del retiro. Esto permite el logro de estupendo-plano espejo-como superficies con una aspereza restante en una escala atómica. Eso se termina después, la oblea está listo para la fabricación.

Concentración de la estructura y de portador de banda de oblea de InAs

Parámetros básicos

Dependencias de la temperatura

Dependencia de la temperatura del hueco de energía directo

Eg. = 0,415 - 2,76·10-4·T2/(T+83) (eV),

donde está temperatura T los grados K (0 <T < 300).
 

Densidad eficaz de estados en la banda de conducción

Nc≈1.68·1013·T3/2 (cm-3).

Densidad eficaz de estados en la banda de la valencia

Nv≈ 1,27·1015·T3/2 (cm-3).

Dependencias de la presión hidrostática

Eg. ≈Eg. (0) + 4,8·10-3P (eV)
EL DEL≈ (0) + 3,2·10-3P (eV)

donde está presión P en kbar 

Energía Gap que se estrecha en el alto que dopa niveles

Para el n-tipo InAs

ΔEg = 14,0·10-9·Nd1/3 + 1,97·10-7·Nd1/4 + 57,9·10-12·Nd1/2 (eV)

Para el p-tipo InAs

ΔEg = 8,34·10-9·Na1/3 + 2,91·10-7·Na1/4 + 4,53·10-12·Na1/2 (eV)

Masas eficaces

Electrones:

Agujeros:

Masa eficaz de la densidad de estados milivoltio = 0.41mo

Donantes y aceptadores

Energías de ionización de donantes bajos

≥ 0,001 (eV): SE, S, Te, GE, Si, Sn, Cu

Energías de ionización de los aceptadores bajos, eV

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El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino de integración material del semiconductor del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es campo de dos tuberías: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN en sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

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