Oblea primera/mecánica del INP del grado, tipo de n, tipo de p o semiaislante en la orientación (100) o (111)

Lugar del origen:China

Cantidad de orden mínima:1-10,000pcs

Condiciones de pago:T/T

Plazo de expedición:10.000 obleas/mes

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XIAMEN POWERWAY AVANZÓ CO. MATERIAL, LTD.

Miembro activo

Xiamen Fujian China

Dirección: #506B, centro de negocios de Henghui, No.77, Lingxia Nan Road, zona de alta tecnología, Huli, Xiamen 361006, China

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Oblea mecánica del INP del grado, tipo de n, tipo de p o semiaislante en la orientación (100) o (111)

PAM-XIAMEN ofrece la oblea del INP del semiconductor compuesto - fosfuro de indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).

El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc”) una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.

Aquí está la especificación de detalle:

2" (50.8m m) especificación de la oblea del INP

3" (76.2m m) especificación de la oblea del INP

4" (100m m) oblea Specificatio del INP

2" especificación de la oblea del INP

Artículo	Especificaciones
Dopante	N-tipo	N-tipo	P-tipo	SI-tipo
Tipo de la conducción	Sin impurificar	Azufre	Cinc	lron
Diámetro de la oblea	2"
Orientación de la oblea	(100) ±0.5°
Grueso de la oblea	350±25um
Longitud plana primaria	16±2m m
Longitud plana secundaria	8±1m m
Concentración de portador	3x1016cm-3	(0.8-6) x1018cm-3	(0.6-6) x1018cm-3	N/A
Movilidad	(3.5-4) x103cm2/V.s	(1.5-3.5) x103cm2/V.s	50-70x103cm2/V.s	>1000cm2/V.s
Resistencia	N/A	N/A	N/A	N/A
EPD	<1000cm>-2	<500cm>-2	<1x10>3cm2s	<5x10>3cm2s
TTV	<10um>
ARCO	<10um>
DEFORMACIÓN	<12um>
Marca del laser	a petición
Final de Suface	P/E, P/P
Epi listo	sí
Paquete	Solo envase o casete de la oblea

3" especificación de la oblea del INP

Artículo	Especificaciones
Dopante	N-tipo	N-tipo	P-tipo	SI-tipo
Tipo de la conducción	Sin impurificar	Azufre	Cinc	lron
Diámetro de la oblea	3"
Orientación de la oblea	(100) ±0.5°
Grueso de la oblea	600±25um
Longitud plana primaria	16±2m m
Longitud plana secundaria	8±1m m
Concentración de portador	≤3x1016cm-3	(0.8-6) x1018cm-3	(0.6-6) x1018cm-3	N/A
Movilidad	(3.5-4) x103cm2/V.s	(1.5-3.5) x103cm2/V.s	50-70x103cm2/V.s	>1000cm2/V.s
Resistencia	N/A	N/A	N/A	N/A
EPD	<1000cm>-2	<500cm>-2	<1x10>3cm2s	<5x10>3cm2s
TTV	<12um>
ARCO	<12um>
DEFORMACIÓN	<15um>
Marca del laser	a petición
Final de Suface	P/E, P/P
Epi listo	sí
Paquete	Solo envase o casete de la oblea

4" especificación de la oblea del INP

Artículo	Especificaciones
Dopante	N-tipo	N-tipo	P-tipo	SI-tipo
Tipo de la conducción	Sin impurificar	Azufre	Cinc	lron
Diámetro de la oblea	4"
Orientación de la oblea	(100) ±0.5°
Grueso de la oblea	600±25um
Longitud plana primaria	16±2m m
Longitud plana secundaria	8±1m m
Concentración de portador	≤3x1016cm-3	(0.8-6) x1018cm-3	(0.6-6) x1018cm-3	N/A
Movilidad	(3.5-4) x103cm2/V.s	(1.5-3.5) x103cm2/V.s	50-70x103cm2/V.s	>1000cm2/V.s
Resistencia	N/A	N/A	N/A	N/A
EPD	<1000cm>-2	<500cm>-2	<1x10>3cm2s	<5x10>3cm2s
TTV	<15um>
ARCO	<15um>
DEFORMACIÓN	<15um>
Marca del laser	a petición
Final de Suface	P/E, P/P
Epi listo	sí
Paquete	Solo envase o casete de la oblea

Perfil de la compañía

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.

Etiquetas de productos:

Wafer insb plaquetas de silicio tipo p Wafer de entrada

Oblea primera/mecánica del INP del grado, tipo de n, tipo de p o semiaislante en la orientación (100) o (111)

Carro de la investigación 0

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