N mecanografía, la oblea de semiconductor del INP (fosfuro de indio), 2", grado de la prueba

N mecanografía, la oblea de semiconductor del INP (fosfuro de indio), 2", grado de la prueba

PAM-XIAMEN fabrica las obleas del fosfuro de indio del solo cristal de la pureza elevada para los usos de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 200 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.

N mecanografía, la oblea del INP, 2", grado de la prueba

¿Cuál es oblea del INP?

El fosfuro de indio es un similar material semiconductor al GaAs y al silicio pero es mucho un producto muy especializado. Es muy eficaz en desarrollar el proceso muy de alta velocidad y es más costoso que el GaAs debido a las grandes longitudes recolectar y desarrollar los ingredientes. Hechemos una ojeada más hechos sobre el fosfuro de indio como pertenece a una oblea del INP.

Parámetros de la recombinación

Si el nivel de Fermi superficial EFS se fija cerca del espacio medio (EFS~Eg. /2) la velocidad de recombinación superficial aumenta a partir del ~5·10-3cm/s para dopar el nivel no~3·1015 cm-3 a ~106 cm/s para dopar el nivel ningún ~ 3·1018cm-3 (  del   de Bothra y otros [1991]).

El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.

Fue utilizado con el arseniuro de galio del indio para hacer un expediente que rompía la heterounión seudo-mórfica el transistor bipolar que podría actuar en 604 gigahertz.

También tiene un bandgap directo, haciéndolo útil para los dispositivos de la optoelectrónica como los diodos láser. La compañía Infinera utiliza el fosfuro de indio como su material tecnológico importante para fabricar los circuitos integrados fotónicos para la industria óptica de las telecomunicaciones, para permitir usos de la multiplexación de la longitud de onda-división.

El INP también se utiliza como substrato para los dispositivos optoelectrónicos basados epitaxiales del arseniuro de galio del indio.

¿Usted está buscando una oblea del INP?

¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas del INP, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.