Tipo de N, substrato del INP (fosfuro de indio), 3", grado primero - semiconductor compuesto

N mecanografía, el substrato del INP, 3", grado primero

PAM-XIAMEN ofrece la oblea del INP – fosfuro de indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).

El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc ") una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.

N mecanografía, el substrato del INP, 3", grado primero

¿Cuál es una oblea de la prueba?

La mayoría de las obleas de la prueba son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.

Para el n-INP débil dopado en las temperaturas cerca de la movilidad de deriva del electrón de 300 K:

µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 S1)

Fórmula aproximada para la movilidad de pasillo del electrón

Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) el 1/2],
donde ΜOH=5000 cm2V-1 S1,
Nd en cm-3 (Hilsum [1974])

En 300 K, el factor rn≈1 de Pasillo del electrón en el n-INP.
para Nd > 1015 cm-3.

Para el p-INP débil dopado en la temperatura cerca de 300 K la movilidad de pasillo

µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 S1).

En 300 K, el factor del agujero en el p-INP puro: rp~1

Usos optoelectrónicos

El INP basó los lasers y el LED puede emitir la luz en la gama muy amplia de 1200 nanómetro hasta el µm 12. Esta luz se utiliza para los usos basados fibra de las telecomunicaciones y del Datacom en todas las áreas del mundo numerado. La luz también se utiliza para detectar usos. Por un lado hay usos espectroscópicos, donde está necesaria cierta longitud de onda obrar recíprocamente con la materia para detectar los gases altamente diluidos por ejemplo. El terahertz optoelectrónico se utiliza en los analizadores espectroscópicos ultrasensibles, medidas del grueso de polímeros y para la detección de capas de múltiples capas en la industria del automóvil. Por otra parte hay una ventaja enorme de los lasers específicos del INP porque son caja fuerte del ojo. La radiación se absorbe en el cuerpo vítreo del ojo humano y no puede dañar la retina. Los lasers del INP en el LiDAR (detección ligera y alcance) serán un componente clave para la movilidad del futuro y de la industria de la automatización.

¿Usted está buscando una oblea del INP?

¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas del INP, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.