Semiaislante, oblea cristalina del INP (fosfuro de indio), 3", grado simulado

Semiaislante, oblea cristalina del INP (fosfuro de indio), 3", grado simulado

PAM-XIAMEN ofrece la oblea del INP – fosfuro de indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).

El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc ") una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.

Semiaislante, oblea del INP, 3", grado simulado

¿Cuál es el proceso del INP?

Las obleas del INP se deben preparar antes de la fabricación del dispositivo. Para comenzar, deben ser limpiadas totalmente para quitar cualquier daño que pudiera haber ocurrido durante el proceso rebanador. Las obleas entonces químicamente mecánicamente se pulen/Plaranrized (CMP) para la etapa material final del retiro. Esto permite el logro de estupendo-plano espejo-como superficies con una aspereza restante en una escala atómica. Eso se termina después, la oblea está listo para la fabricación.

Parámetros básicos

Uso de las telecomunicaciones/del Datacom

El fosfuro de indio (InP) se utiliza para producir los lasers eficientes, los fotodetectores sensibles y los moduladores en la ventana de la longitud de onda usada típicamente para las telecomunicaciones, es decir, 1550 longitudes de onda del nanómetro, pues es un material directo del semiconductor de compuesto del bandgap III-V. La longitud de onda entre cerca de 1510 nanómetro y 1600 nanómetro tiene el disponible más de poca atenuación en la fibra óptica (cerca de 0,26 dB/km). El INP es un material de uso general para la generación de señales del laser y de la detección y la conversión de esas señales de nuevo a forma electrónica. Los diámetros de la oblea se extienden a partir de 2-4 pulgadas.

Los usos son:

• Conexiones des fibra óptica de larga distancia sobre gran distancia hasta 5000 kilómetros típicamente >10 Tbit/s

• Redes del acceso del anillo del metro

• Redes y centro de datos de la compañía

• Fibra al hogar

• Conexiones a las estaciones base 3G, LTE y 5G de la radio

• Comunicación por satélite del espacio libre

¿Usted está buscando un substrato del INP?

PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas del INP, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas del INP que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.