Tipo de P, oblea del fosfuro de indio, 4", grado de la prueba - fabricación de la oblea del INP

P mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 4", grado de la prueba

PAM-XIAMEN proporciona la oblea del INP del solo cristal (fosfuro de indio) para la industria microelectrónica (HEMT de HBT/) y optoelectrónica (LED/DWDM/PIN/VCSELs) en diámetro hasta 6 pulgadas. El cristal de (InP) del fosfuro de indio es formado por dos elementos, indios y fosfuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) o el método de VGF. La oblea del INP es un material importante que tengan propiedades eléctricas y termales superiores, oblea del semiconductor del INP tiene una movilidad de electrón más alta, una frecuencia más alta, el bajo consumo de energía, una conductividad termal más alta y funcionamiento de poco ruido. PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista del INP del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE.

Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.

P mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 4", grado de la prueba

Hechos del fosfuro de indio

• El fosfuro de indio (InP) incluye el fósforo y el indio y es un semiconductor binario.
• Tiene una estructura cristalina del zincblende similar al GaAs y a casi todos los semiconductores de III-V.
• Tiene velocidad superior del electrón debido a cuál se utiliza en electrónica de alta frecuencia y de alta potencia.
• Tiene un bandgap directo, a diferencia de muchos semiconductores.
• El fosfuro de indio también se utiliza como substrato para los dispositivos optoelectrónicos.
• Peso molecular: 145,792 g/mol
• Punto de fusión: °C 1062 (°F) 1943,6
• Puede ser utilizado para virtualmente cualquier dispositivo electrónico que requiera velocidad o poder más elevado.
• Tiene uno de los fonones ópticos largo-vivos del compuesto con la estructura cristalina del zincblende.
• El INP es el material más importante para la generación de señales del laser y de la detección y la conversión de esas señales de nuevo a forma electrónica.

Uso de las telecomunicaciones/del Datacom

El fosfuro de indio (InP) se utiliza para producir los lasers eficientes, los fotodetectores sensibles y los moduladores en la ventana de la longitud de onda usada típicamente para las telecomunicaciones, es decir, 1550 longitudes de onda del nanómetro, pues es un material directo del semiconductor de compuesto del bandgap III-V. La longitud de onda entre cerca de 1510 nanómetro y 1600 nanómetro tiene el disponible más de poca atenuación en la fibra óptica (cerca de 0,26 dB/km). El INP es un material de uso general para la generación de señales del laser y de la detección y la conversión de esas señales de nuevo a forma electrónica. Los diámetros de la oblea se extienden a partir de 2-4 pulgadas.

Los usos son:

• Conexiones des fibra óptica de larga distancia sobre gran distancia hasta 5000 kilómetros típicamente >10 Tbit/s

• Redes del acceso del anillo del metro

• Redes y centro de datos de la compañía

• Fibra al hogar

• Conexiones a las estaciones base 3G, LTE y 5G de la radio

• Comunicación por satélite del espacio libre

¿Usted está buscando un substrato del INP?

PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas del INP, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas del INP que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!