Name: Tipo de N oblea semiconductora del arseniuro de galio 6 grado primero
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Tipo de N, oblea semiconductora del arseniuro de galio, 6", grado primero

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N mecanografía, la oblea del arseniuro de galio, 6", grado primero

PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y la tecnología de proceso de la oblea del arseniuro de galio (GaAs). Las propiedades eléctricas requeridas son obtenidas añadiendo dopantes tales como silicio o cinc. El resultado es n-tipo o p-tipo de alta resistencia (>10^7 ohm.cm) o semiconductores de la bajo-resistencia (<10 - 2 ohm.cm). Las superficies de la oblea están generalmente epi-listas (extremadamente - contaminación baja) es decir su calidad son convenientes para el uso directo en procesos epitaxiales.

Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED

Artículo	Especificaciones
Tipo de la conducción	SC/n-type
Método del crecimiento	VGF
Dopante	Silicio
Oblea Diamter	6, pulgada
Orientación cristalina	(100) 10⁰ de (110)
DE	EJ o los E.E.U.U.
Concentración de portador	(0.4~2.5) E18/cm3
Resistencia en el RT	(1.5~9) E-3 Ohm.cm
Movilidad	1500~3000cm2/V.sec
Densidad del hoyo de grabado de pistas	<5000/cm2
Marca del laser	a petición
Final superficial	P/E o P/P
Grueso	220~650um
Epitaxia lista	Sí
Paquete	Solo envase o casete de la oblea

Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LD

Artículo	Especificaciones	Observaciones
Tipo de la conducción	SC/n-type
Método del crecimiento	VGF
Dopante	Silicio
Oblea Diamter	6, pulgada	Lingote o como-corte disponible
Orientación cristalina	(100) 10⁰ de (110)	El otro misorientation disponible
DE	EJ o los E.E.U.U.
Concentración de portador	(0.4~2.5) E18/cm3
Resistencia en el RT	(1.5~9) E-3 Ohm.cm
Movilidad	1500~3000 cm2s/V.sec
Densidad del hoyo de grabado de pistas	<500/cm2
Marca del laser	a petición
Final superficial	P/E o P/P
Grueso	220~650um
Epitaxia lista	Sí
Paquete	Solo envase o casete de la oblea

Propiedades del cristal del GaAs

Propiedades	GaAs
Atoms/cm3	4,42 x 10²²
Peso atómico	144,63
Campo de la avería	aproximadamente 4 x 10⁵
Estructura cristalina	Zincblende
Densidad (g/cm3)	5,32
Constante dieléctrica	13,1
Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm^-3)	4,7 x 10¹⁷
Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm^-3)	7,0 x 10¹⁸
Afinidad de electrón (v)	4,07
Energía Gap en 300K (eV)	1,424
Concentración de portador intrínseco (cm^-3)	1,79 x 10⁶
Longitud de Debye intrínseca (micrones)	2250
Resistencia intrínseca (ohmio-cm)	108
Constante del enrejado (angstromes)	5,6533
Coeficiente linear de extensión termal,	6,86 x 10^-6
ΔL/L/ΔT (1 DEG C)	6,86 x 10^-6
Punto de fusión (DEG C)	1238
Curso de la vida del portador de minoría (s)	aproximadamente 10^-8
Movilidad (deriva)	8500
(cm2s de /V-s)
µ_n, electrones
Movilidad (deriva)	400
(cm2s de /V-s)
µ_p, agujeros
Energía óptica (eV) del fonón	0,035
Trayectoria libre mala del fonón (angstromes)	58
Trayectoria libre mala del fonón (angstromes)	58
Calor específico	0,35
(J/g-deg C)	0,35
Conductividad termal en 300 K	0,46
(W/cm-degC)	0,46
Difusibilidad termal (cm2/sec)	0,24
Presión de vapor (Pa)	100 en 1050 DEG C;
Presión de vapor (Pa)	1 en 900 DEG C


Longitud de onda	Índice
(µm)	Índice
2,6	3,3239
2,8	3,3204
3	3,3169
3,2	3,3149
3,4	3,3129
3,6	3,3109
3,8	3,3089
4	3,3069
4,2	3,3057
4,4	3,3045
4,6	3,3034
4,8	3,3022
5	3,301
5,2	3,3001
5,4	3,2991
5,6	3,2982
5,8	3,2972
6	3,2963
6,2	3,2955
6,4	3,2947
6,6	3,2939
6,8	3,2931
7	3,2923
7,2	3,2914
7,4	3,2905
7,6	3,2896
7,8	3,2887
8	3,2878
8,2	3,2868
8,4	3,2859
8,6	3,2849
8,8	3,284
9	3,283
9,2	3,2818
9,4	3,2806
9,6	3,2794
9,8	3,2782
10	3,277
10,2	3,2761
10,4	3,2752
10,6	3,2743
10,8	3,2734
11	3,2725
11,2	3,2713
11,4	3,2701
11,6	3,269
11,8	3,2678
12	3,2666
12,2	3,2651
12,4	3,2635
12,6	3,262
12,8	3,2604
13	3,2589
13,2	3,2573
13,4	3,2557
13,6	3,2541

¿Cuál es oblea del GaAs?

El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del hueco de banda de III-V con una estructura cristalina de la blenda de cinc.

La oblea del GaAs es un material importante del semiconducor. Pertenece para agrupar el semiconductor de compuesto de III-V. Es un tipo estructura de la esfalerita de enrejado con un constante del enrejado de 5.65x 10-10m, un punto de fusión del ℃ 1237 y un hueco de banda de 1,4 EV. El arseniuro de galio se puede hacer en semi el aislamiento de los altos materiales de la resistencia con resistencia más arriba que el silicio y el germanio por más de tres órdenes de magnitud, que se pueden utilizar para hacer el substrato del circuito integrado, el detector infrarrojo, el detector del fotón del γ, el etc. Porque su movilidad de electrón es 5-6 mide el tiempo de más grande que el del silicio, ha sido ampliamente utilizada en dispositivos de la microonda y circuitos digitales de alta velocidad. El dispositivo de semiconductor hecho del GaAs tiene las ventajas de la resistencia el de alta frecuencia, da alta temperatura y baja de la temperatura, de poco ruido y fuerte de radiación. Además, puede también ser utilizado para hacer los dispositivos del efecto a granel.

Cuál es las propiedades eléctricas de la oblea del GaAs

Campo de la avería	≈4·105 V/cm
Electrones de la movilidad	cm2s de ≤8500 V-1s-1
Agujeros de la movilidad	cm2s de ≤400 V-1s-1
Electrones del coeficiente de difusión	≤200 cm2/s
Agujeros del coeficiente de difusión	≤10 cm2/s
Velocidad la termal del electrón	4,4·105 m/s
Velocidad la termal del agujero	1,8·105m/s

Movilidad y Hall Effect

La movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diverso doping nivela.

1. Curva inferior: Nd=5·1015cm-3;
2. curva del centro: Nd=1015cm-3;
3. Curva superior: Nd=5·1015cm-3
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de pasillo del electrón
µH=9400 (300/T) cm2s de V-1 S1

Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para los diversos niveles y grados de doping de remuneración (temperaturas altas):
Abra los círculos: Nd=4Na=1.2·1017 cm-3;
Cuadrados abiertos: Nd=4Na=1016 cm-3;
Abra los triángulos: Nd=3Na=2·1015 cm-3;
La curva sólida representa el cálculo para el GaAs puro
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de deriva del electrón
µn=8000 (300/T) 2/3 cm2 de V-1 S1

Movilidad de la deriva y de pasillo contra la concentración del electrón para diversos grados de remuneración T= 77 K

Movilidad de la deriva y de pasillo contra la concentración del electrón para diversos grados de remuneración T= 300 K

Fórmula aproximada para la movilidad de pasillo

. µn =ΜOH/(1+Nd·10-17) el 1/2, donde ΜOH≈9400 (cm2s de V-1 S1), Nd en cm-3

Dependencia de la temperatura del factor de Pasillo para el n-tipo puro GaAs en un campo magnético débil

Dependencia de la temperatura de la movilidad de pasillo para tres muestras de gran pureza

Para el GaAs en las temperaturas cerca de 300 K, movilidad de pasillo del agujero

(cm2V-1s-1), (p - en cm-3)
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de pasillo
µpH=400 (300/T) 2,3 (cm2s de V-1 S1).

La movilidad de pasillo del agujero contra densidad del agujero.

En T= 300 K, el factor de Pasillo en el GaAs puro

rH=1.25.

Propiedades de transporte en altos campos eléctricos

Dependencias del campo de la velocidad de deriva del electrón.

La curva sólida era calculada cerca.
Las curvas estralladas y punteadas son los datos medidos, 300 K

Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón para los altos campos eléctricos, 300 K.

Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en diversas temperaturas.

Fracción de electrones en valles de L y de X. NL y nX en función del campo eléctrico F en 77, 160, y 300 K, Nd=0

Curva punteada - L valles, curva rayada - valles de X.

Energía mala E en valles de Γ, de L, y de X en función del campo eléctrico F en 77, 160, y 300 K, Nd=0

Curva sólida - valles de Γ, curva punteada - L valles, curva estrallada - valles de X.

Dependencias de la frecuencia de la movilidad del diferencial del electrón.
el µd es parte real de la movilidad diferenciada; pieza imaginaria de los µd*is de movilidad diferenciada.
F= 5,5 kilovoltios cm-1

La dependencia del campo del coeficiente de difusión longitudinal del electrón D||F.
Las curvas 1 y 2 del sólido son cálculos teóricos. Las curvas rayadas 3, 4, y 5 son datos experimentales.
Curva 1 - de
Curva 2 - de
Curva 3 - de
Curva 4 - de
Curva 5 -

Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del agujero en diversas temperaturas.

Dependencia de la temperatura de la velocidad del agujero de la saturación en altos campos eléctricos

La dependencia del campo del coeficiente de difusión del agujero.

Ionización de impacto

Hay dos escuelas de pensamiento con respecto a la ionización de impacto en el GaAs.

Primer indica que el αi y el βi de las tarifas de la ionización de impacto para los electrones y los agujeros en el GaAs están sabidos exactamente bastante para distinguir tales detalles sutiles tales como el anisothropy del αi y del βi para diversas direcciones cristalográficas. Este acercamiento es descrito detalladamente en el trabajo por Dmitriev y otros [1987].

Αi y βi experimentales de las curvas contra 1/F para el GaAs.

Los segundos focos de la escuela en los valores del αi y el βi para el mismo campo eléctrico divulgado por diferente investigan diferencian por un orden de magnitud o más. Este punto de vista es explicado por Kyuregyan y Yurkov [1989]. Según este acercamiento podemos asumir ese αi = βi. La fórmula aproximada para la dependencia del campo de la ionización valora:
=αoexp del αi = del β i [δ - (δ2 + (F0/F) 2) el 1/2]
donde αo = 0,245·106 cm-1; β = 57,6 FO = 6,65·106 V cm-1 (Kyuregyan y Yurkov [1989]).

Voltaje de avería y campo de la avería contra el doping de la densidad para un empalme precipitado del p-n.

Parámetro de la recombinación

N-tipo puro material (ningún ~ 1014cm-3)
El curso de la vida más largo de agujeros	τp ~3·10-6 s
Longitud de difusión Lp = (DP·τp) el 1/2	Μm del Lp ~30-50.
P-tipo puro material
(a) nivel bajo de la inyección
El curso de la vida más largo de electrones	τn ~ 5·10-9 s
Longitud de difusión Ln = (Dn·τ n) el 1/2	Μm de Ln ~10
(b) alto nivel de la inyección (trampas llenadas)
El curso de la vida más largo de electrones	τ ~2,5·10-7 s
Longitud de difusión Ln	Ln ~ µm 70

Velocidad de recombinación superficial contra el doping de densidad
Diversos puntos experimentales corresponden a diversos métodos de tratamiento superficial.

Coeficiente radiativo de la recombinación

90 K	1,8·10-8cm3/s
185 K	1,9·10-9cm3/s
300 K	7,2·10-10cm3/s

Coeficiente del taladro

300 K	~10-30cm6/s
500 K	~10-29cm6/s

¿Usted está buscando la oblea del GaAs?

¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas del GaAs, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

Perfil de la compañía

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.

Etiquetas de productos:

oblea del arseniuro de galio plaquetas de nitruro de galio Wafer de germanio

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Carro de la investigación 0

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