tipo de 4H N sic, grado simulado, 6" tamaño para la oblea o prueba de funcionamiento del equipo

tipo de 4H N sic, grado simulado, 6" tamaño

PAM-XIAMEN ofrece las obleas del carburo de silicio del semiconductor, 6H sic y 4H sic en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Hemos desarrollado la tecnología del crecimiento sic cristalino y la tecnología de proceso de la oblea sic cristalina, establecidas una cadena de producción al fabricante SiCsubstrate, que se aplica en GaNepitaxydevice, powerdevices, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad actualmente de substratos y para desarrollar los substratos de gran tamaño.

Aquí muestra la especificación de detalle:

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

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Propiedades del solo cristal sic

Aquí comparamos la propiedad del carburo de silicio, incluyendo hexagonal sic, CubicSiC, solo cristal sic.

Propiedad del   del carburo de silicio (sic)

Comparación de la propiedad del carburo de silicio, incluyendo hexagonal sic, cúbico sic, solo cristal sic:

*Reference: Manual de la ciencia material y de la ingeniería del CRC

Comparación de la propiedad del solo cristal sic, de 6H y de 4H:

*Reference: Material avanzado Co., Ltd. de Xiamen Powerway

Comparación de la propiedad de 3C-SiC, de 4H-SiC y de 6H-SiC:

* referencia: IOFFE

Sic referencia del fabricante 4H y sic 6H: PAM-XIAMEN es el desarrollador principal del mundo de la tecnología de estado sólido de la iluminación, él ofrece una línea completa: De Sinlge del cristal oblea sic y oblea epitaxial y sic recuperación de la oblea

Rectificadores sic de alta potencia

El rectificador de diodo de alta potencia es una unidad de creación crítica de circuitos de la conversión de poder. Los estudios recientes sic de los resultados experimentales del rectificador se dan en las referencias 3, 134, 172, 180, y 181. La mayoría sic de los equilibrios de diseño importantes del dispositivo del rectificador de diodo son paralelo a áspero equilibrios bien conocidos del rectificador de silicio, a excepción del hecho de que las densidades corrientes, los voltajes, las densidades de poder, y las velocidades de transferencia son mucho más altos adentro sic. Por ejemplo, los rectificadores de diodo de Schottky del semiconductor son los dispositivos del portador de mayoría que son bien sabido exhibir la transferencia muy rápida debido a la ausencia de almacenamiento de la carga de portador de minoría que domine (es decir, se reduce, al contrario dando por resultado poder y calor inútiles indeseados) la operación de transferencia de los rectificadores de empalme bipolares del pn. Sin embargo, el alto campo de la avería y la operación amplia del permiso del bandgap de la energía sic de los diodos de Schottky del metal-semiconductor en voltajes mucho más altos (sobre 1 kilovoltio) que prácticos con los diodos siliconbased de Schottky que se limitan a la operación debajo de ~200 V debido a salida termoiónica de un reverso-prejuicio mucho más alto.

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.