Tipo de fuera del eje sic material de la oblea, grado de la investigación, 10m m x 10m m, uso óptico de 4H N

Tipo de fuera del eje sic material de la oblea, grado de la investigación, 10m m x 10m m, uso óptico de 4H N

PAM-XIAMEN proporciona la industria electrónica y optoelectrónica de alta calidad del waferfor del solo cristal sic (carburo de silicio). Sic la oblea es propiedades eléctricas únicas de la siguiente generación de un materialwith del semiconductor y propiedades termales excelentes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2~6 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible.

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PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

tipo sic oblea, grado de la investigación, 10m m x 10m m de 4H N

Sic oblea para el dispositivo de poder más elevado

FAQ

Pregunta:

       Necesitamos sic con estas espec.
       - 10x10 milímetro

•  200 µm del µm ..... 350
• Un lado pulido

Lo necesitamos para hacer una cierta investigación para el desarrollo de la herramienta.

Acabamos de necesitar una oblea que está reflejando la calidad actual disponible para los dispositivos de poder más elevado.

Respuesta: 10mm*10m m, 350um+/-50um, tipo de n, lado doble pulido es bastante para el dispositivo de poder más elevado, esta sic oblea deben ser C (0001) 4deg.off

¿Cuál es propiedades eléctricas y ópticas sic de la oblea?

Hay seis puntos como sigue:

1 estructura de banda sic de oblea

Coeficiente de absorción óptica 2 y índice de refracción sic de la oblea

Doping de la impureza 3 y concentración de portador sic de oblea

movilidad 4 sic de la oblea

Índice de 5 derivas sic de oblea

Fuerza de campo eléctrico de 6 averías sic de la oblea

Estructura sic cristalina

Sic el cristal tiene muchas diversas estructuras cristalinas, que se llama los polytypes. Los polytypes mas comunes sic actualmente de ser convertido para la electrónica son los 3C-SiC cúbicos, los 4H-SiC y los 6H-SiC hexagonales, y los 15R-SiC romboédricos. Estos polytypes son caracterizados por la secuencia de amontonamiento de las capas del biatom sic de la estructura. Para más detalles, investigue por favor a nuestro equipo del ingeniero.

Sistemas sic microelectromecánicos (MEMS) y sensores

Según lo descrito en el capítulo de Hesketh en micromachining en este libro, el desarrollo y el uso de MEMS siliconbased continúa ampliándose. Mientras que las secciones anteriores de este capítulo se han centrado en el uso de sic para los dispositivos electrónicos del semiconductor tradicional, sic también se espera desempeñar un papel significativo en usos emergentes de MEMS. Sic tiene propiedades mecánicas excelentes que dirijan algunos defectos de MEMS silicio-basado tales como dureza extrema y fricción baja que reducen desgaste-hacia fuera mecánico e inercia química excelente a las atmósferas corrosivas. Por ejemplo, la durabilidad excelente de SiCs se está examinando como permitiendo para la operación de la largo-duración de micromotors eléctricos y de las fuentes micro de la producción de energía del motor a reacción donde las propiedades mecánicas del silicio aparecen ser escasas.

Desafortunadamente, las mismas propiedades que hacen sic más durable que el silicio también para hacer sic más difícil al micromachine. Los acercamientos a las estructuras de fabricación del duro-ambiente MEMS adentro sic y a los resultados de SIC-MEMS del prototipo obtenidos hasta la fecha se revisan en las referencias 124 y 190. La incapacidad para realizarse fino-modeló la aguafuerte de 4H- monocristal y 6H-SiC con las sustancias químicas mojadas (sección 5.5.4) hace micromachining de este electrónico-grado sic más difícil. Por lo tanto, han ejecutado a la mayoría sic de micromachining hasta la fecha en 3C-SiC eléctricamente inferior y policristalino heteroepitaxial sic depositados en las obleas de silicio. Las variaciones de micromachining micromachining, superficial a granel, y las técnicas micromolding se han utilizado para fabricar una amplia variedad de estructuras micromecánicas, incluyendo resonadores y micromotors. Estandardizado sic en el servicio micromecánico de la fundición del proceso de la fabricación de la oblea de silicio, que permite a usuarios realizar sus propios dispositivos sic micromachined específicos a la aplicación mientras que comparte el espacio y el coste de la oblea con otros usuarios, es disponible en el comercio.

Para los usos que requerían temperatura alta, la electrónica de la bajo-salida sic no posible con sic las capas depositadas en el silicio (transistores des alta temperatura incluyendo, como se debate en la sección 5.6.2), conceptos para integrar una electrónica mucho más capaz con MEMS en sic las obleas 4H/6H con los epilayers también se ha propuesto. Por ejemplo, los sensores de la presión que son convertidos para el uso en regiones más altas de la temperatura de motores a reacción se ejecutan en 6H-SiC, en gran parte debido al hecho de que la salida baja del empalme está requerida para alcanzar la operación apropiada del sensor. el En-microprocesador 4H/6H integró electrónica del transistor que permite beneficioso el condicionamiento de señal en el sitio de detección de alta temperatura también se está convirtiendo. Con todos los sensores micromecánico-basados, es vital empaquetar el sensor de una forma que minimiza la imposición de las tensiones inducidas termomecánicas (que se presentan debido a coeficiente de la extensión termal unen mal sobre palmos mucho más grandes de la temperatura permitidos por sic) sobre los elementos de detección. Por lo tanto (según lo mencionado previamente en la sección 5.5.6), el empaquetado avanzado es casi tan crítico como el uso de sic hacia provechosamente la extensión del sobre operativo de MEMS en ambientes duros.

Como se debate en la sección 5.3.1, un uso primario sic de los sensores del duro-ambiente es permitir a la supervisión y al control activos de los sistemas de motor de combustión mejorar eficacia del combustible mientras que reduce la contaminación. Hacia este extremo, las capacidades das alta temperatura del SiC han permitido la realización las estructuras del sensor del gas del prototipo catalítico de metal-SIC y de metal-aislador-SIC con la gran promesa para los usos de la supervisión de la emisión y la detección de escape del sistema de carburante. La operación da alta temperatura de estas estructuras, no posible con silicio, permite la detección rápida de cambios en contenido del hidrógeno y del hidrocarburo a las sensibilidades de partes por millón en los sensores muy pequeños que se podrían colocar fácilmente discreto en un motor sin la necesidad del refrescar. Sin embargo, otras mejoras a la confiabilidad, a la reproductibilidad, y al coste de sensores SIC-basados del gas son necesarias antes de estos sistemas estarán listas para el uso extenso en automóviles y aviones del consumidor. Lo mismo se pueden decir generalmente para lo más sic posible MEMS, que no alcanzará la inserción beneficiosa extensa del sistema hasta que la alta confiabilidad en ambientes duros sea confiada vía el desarrollo de tecnología adicional.

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.