Tipo de fuera del eje sic oblea de semiconductor, grado de la investigación, 3" de 4H N tamaño

tipo sic oblea de semiconductor, grado de la investigación, 3" de 4H N tamaño

PAM-XIAMEN ofrece las obleas del carburo de silicio del semiconductor, 6H sic y 4H sic en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Hemos desarrollado la tecnología del crecimiento sic cristalino y la tecnología de proceso de la oblea sic cristalina, establecidas una cadena de producción al fabricante SiCsubstrate, que se aplica en GaNepitaxydevice, powerdevices, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad actualmente de substratos y para desarrollar los substratos de gran tamaño.

Aquí muestra la especificación de detalle:
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
 

tipo sic oblea de semiconductor, grado de la investigación, 3" de 4H N tamaño

defectos sic cristalinos

La mayor parte de los defectos que fueron observados adentro sic también fueron observados en otros materiales cristalinos. Como las dislocaciones,

faltas de amontonamiento (SFs), límites (LABs) del ángulo bajo y gemelos. Algunos otros aparecen en los materiales que tienen la mezcla del zing o

la estructura de wurzita, como el IDBs. Micropipes y las inclusiones a partir de otras fases aparecen principalmente adentro sic.
Operación da alta temperatura del dispositivo
La energía amplia del bandgap y la concentración de portador intrínseco baja de sic permiten sic mantener
comportamiento del semiconductor en temperaturas mucho más altas que el silicio, que a su vez permite sic el semiconductor
función del dispositivo en temperaturas mucho más altas que el silicio. Como se debate en básico
los libros de texto de la física del dispositivo electrónico del semiconductor, dispositivos electrónicos del semiconductor funcionan
en la gama de temperaturas donde están insignificantes los portadores intrínsecos para controlar conductividad cerca
impurezas intencionalmente introducidas del dopante. Además, la concentración de portador intrínseco
 está un prefactor fundamental a las ecuaciones bien conocidas que gobiernan salida indeseada del reverso-prejuicio del empalme
corrientes. Mientras que la temperatura aumenta, los portadores intrínsecos aumentan exponencial de modo que salida indeseada
las corrientes crecen inaceptable grandes, y eventual en las temperaturas más altas inmóviles, el semiconductor
la operación del dispositivo es superada por conductividad incontrolada mientras que los portadores intrínsecos exceden intencional
dopings del dispositivo. Dependiendo de diseño específico del dispositivo, la concentración de portador intrínseco de silicio
confina generalmente la operación del dispositivo del silicio a las temperaturas de empalme <300°C. SiC mucho más pequeñas
la concentración de portador intrínseco permite teóricamente la operación del dispositivo en excederse de las temperaturas de empalme
la operación del dispositivo de 800°C. 600°C sic se ha demostrado experimental en una variedad
Sic dispositivos.
La capacidad de poner electrónica da alta temperatura sin enfriar del semiconductor directamente en caliente
los ambientes permitirían ventajas importantes a la perforación automotriz, aeroespacial, y profunda-bien
industrias. En el caso de los motores automotrices y aeroespaciales, telemetría electrónica mejorada y
el control de regiones das alta temperatura del motor es necesario más exacto al control la combustión
proceso para mejorar eficacia del combustible mientras que reduce contaminando emisiones. Capacidad da alta temperatura
elimina funcionamiento, confiabilidad, y las penas del peso asociadas a de refrigeración por líquido, fans, termales
el proteger, y un alambre más largo corre necesario para realizar función similar en motores usando convencional
electrónica del semiconductor del silicio.

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.