Tipo sic (oblea del carburo de silicio), grado de la producción, Epi listo, 2" de En-AXIS 6H N tamaño

Brand Name:PAM-XIAMEN
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tipo sic oblea, grado de la producción, Epi listo, 2" de 6H N tamaño

PAM-XIAMEN proporciona la industria electrónica y optoelectrónica de alta calidad del waferfor del solo cristal sic (carburo de silicio). Sic la oblea es propiedades eléctricas únicas de la siguiente generación de un materialwith del semiconductor y propiedades termales excelentes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2~6 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información.

 

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

 

PolytypeSolo cristal 4HSolo cristal 6H
Parámetros del enrejadoa=3.076 Åa=3.073 Å
 c=10.053 Åc=15.117 Å
Amontonamiento de secuenciaABCBABCACB
Banda-GapeV 3,26eV 3,03
Densidad3,21 · 103 kg/m33,21 · 103 kg/m3
Therm. Coeficiente de la extensión4-5×10-6/K4-5×10-6/K
Índice de la refracciónningunos = 2,719ningunos = 2,707
 ne = 2,777ne = 2,755
Constante dieléctrica9,69,66
Conductividad termal490 W/mK490 W/mK
Campo eléctrico de la avería2-4 · 108 V/m2-4 · 108 V/m
Velocidad de deriva de la saturación2,0 · 105 m/s2,0 · 105 m/s
Movilidad de electrón800 cm2/V·S400 cm2/V·S
movilidad de agujero115 cm2/V·S90 cm2/V·S
Dureza de Mohs~9~9

 

tipo sic oblea, grado de la producción, Epi listo, 2" de 6H N tamaño

PROPIEDAD DEL SUBSTRATOS6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430
DescripciónSubstrato del grado 6H de la producción sic
Polytype6H
Diámetro(50,8 ± 0,38) milímetro
Grueso(250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Tipo del portadorn-tipo
DopanteNitrógeno
Resistencia (RT)0,02 ~ 0,1 Ω·cm
Aspereza superficial< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c)
FWHM<30 arco segundo del arco segundo <50
Densidad de MicropipeA+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientación superficial
En eje<0001>± 0.5°
De eje3.5° hacia <11-20>± 0.5°
Orientación plana primariaSea paralelo a {el ± 5° de 1-100}
Longitud plana primaria± 16,00 1,70 milímetros
Orientación plana secundariaSi-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación
C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación
Longitud plana secundaria± 8,00 1,70 milímetros
Final superficialCara simple o doble pulida
EmpaquetadoSola caja de la oblea o caja multi de la oblea
Área usable≥ el 90%
Exclusión del borde1 milímetro

 

Estructura sic cristalina

Sic el cristal tiene muchas diversas estructuras cristalinas, que se llama los polytypes. Los polytypes mas comunes sic actualmente de ser convertido para la electrónica son los 3C-SiC cúbicos, los 4H-SiC y los 6H-SiC hexagonales, y los 15R-SiC romboédricos. Estos polytypes son caracterizados por la secuencia de amontonamiento de las capas del biatom sic de la estructura. Para más detalles, investigue por favor a nuestro equipo del ingeniero.

 

Amontonamiento de secuencia:

Si vamos a hacer una estructura laminada, debemos conocer el grueso de cada capa y el ángulo de cada capa tradicionalmente los grados definidos de la capa superior abajo.

 

Dureza de Mohs:

Medida áspera de la resistencia de una superficie lisa al rasguño o a la abrasión, expresada en términos de escala ideada (1812) por el mineralogista alemán Friedrich Mohs. La dureza de Mohs de un mineral es determinada observando si su superficie es rasguñada por una sustancia de la dureza sabida o definida.

 

Densidad:

El   de la densidad o la densidad total de un material es su masa por volumen de unidad. El símbolo más de uso frecuente para la densidad es ρ (el rho griego minúsculo de la letra). Matemáticamente, la densidad se define como masa dividida por el volumen:

 

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