Tipo sic oblea, grado de la investigación, Epi listo, 2" de C (0001) 6H N tamaños

 
tipo sic oblea, grado de la investigación, Epi listo, 2" de 6H N tamaños
 
PAM-XIAMEN ofrece las obleas del carburo de silicio del semiconductor, 6HSiC y 4H sic en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Hemos desarrollado la tecnología del crecimiento sic cristalino y la tecnología de proceso de la oblea sic cristalina, establecidas una cadena de producción al fabricante SiCsubstrate, que se aplica en GaNepitaxydevice, powerdevices, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad actualmente de substratos y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Aquí muestra la especificación de detalle
 
Aquí muestra la especificación de detalle:
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
 

 
 
tipo sic oblea, grado de la investigación, Epi listo, 2" de 6H N tamaños
 
 

 
Crecimiento sic cristalino
El crecimiento cristalino a granel es la técnica para la fabricación de substratos monocristalinos, haciendo la base para el proceso adicional del dispositivo. Para tener una brecha en sic tecnología necesitamos obviamente la producción sic de substrato con un process.6H- reproductivo y sic los cristales 4H- se crecen en crisoles del grafito en las temperaturas altas hasta 2100-2500°C. que la temperatura de funcionamiento en el crisol es proporcionada por la calefacción inductiva (RF) o resistente. El crecimiento ocurre en sic las semillas finas. La fuente representa sic la carga policristalina del polvo. Sic el vapor en la cámara de crecimiento consiste en principalmente tres especies, a saber, Si, Si2C, y SiC2, que son diluidos por el gas portador, por ejemplo, argón. Sic la evolución de la fuente incluye la variación de tiempo de la porosidad y del diámetro del gránulo y la grafitización de los gránulos del polvo.
 
parámetro del enrejado
El constante del enrejado, o el parámetro del enrejado, refiere a la distancia constante entre las células de unidad en un enrejado cristalino. Los enrejados en tres dimensiones tienen generalmente tres constantes del enrejado, designados a, b, y la C. Sin embargo, en la caja especial de estructuras cristalinas cúbicas, todos los constantes son iguales y referimos solamente al A. Semejantemente, en estructuras cristalinas hexagonales, los constantes de un andb son iguales, y referimos solamente a los constantes de a y de c. Un grupo de constantes del enrejado se podía referir como parámetros del enrejado. Sin embargo, el sistema completo de parámetros del enrejado consiste en los tres constantes del enrejado y los tres ángulos entre ellos.
Por ejemplo el enrejado constante para un diamante común del carbono está a = 3.57Å en 300 K. La estructura es equilateral aunque su forma real no pueda ser resuelta solamente del constante del enrejado. Además, en usos reales, el constante medio del enrejado se da típicamente. Pues los constantes del enrejado tienen la dimensión de la longitud, su unidad del SI es el metro. Los constantes del enrejado están típicamente por orden de varios angstromes (es decir décimos del los nanómetros). Los constantes del enrejado pueden ser resueltos usando técnicas tales como difracción de radiografía o con un microscopio atómico de la fuerza.
En crecimiento epitaxial, el constante del enrejado es una medida de la compatibilidad estructural entre diversos materiales. El hacer juego constante del enrejado es importante para el crecimiento de capas delgadas de materiales en otros materiales; cuando diferencian los constantes, las tensiones se introducen en la capa, que previene el crecimiento epitaxial de capas más gruesas sin defectos. 

 

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino de integración material del semiconductor del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es campo de dos tuberías: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN en sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades físicas, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace que la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.