4 pulgadas Si-doparon GaN en los substratos del zafiro para los diodos electroluminosos visibles

4 pulgadas Si-doparon GaN en los substratos del zafiro para los diodos electroluminosos visibles

Los productos de la plantilla de PAM-XIAMEN consisten en capas cristalinas de nitruro del galio (GaN), de nitruro de aluminio (AlN), de nitruro de aluminio del galio (AlGaN) y de nitruro del galio del indio (InGaN), que se depositan en los substratos del zafiro. Los productos de la plantilla de PAM-XIAMEN permiten 20-50% duraciones de ciclo más cortas de la epitaxia y capas epitaxiales más de alta calidad del dispositivo, con una mejor calidad estructural y una conductividad termal más alta, que pueden mejorar los dispositivos en el coste, el beneficio, y el funcionamiento.

El PAM-XIAMEN'sGaN en plantillas del zafiro está disponible en diámetros a partir de la 2" hasta 6", y consiste en una capa delgada de GaN cristalino crecida en un substrato del zafiro. plantillas Epi-listas ahora disponibles.

Aquí muestra la especificación de detalle:

substratos Si-dopados 4inch de GaN/del zafiro

substratos Si-dopados 4inch de GaN/del zafiro

Informe de FWHM y de XRD

Un informe de prueba es necesario mostrar la conformidad entre la descripción de encargo y nuestros datos finales de las obleas. Probaremos el characerization de la oblea por el equipo antes del envío, probando la aspereza superficial por el microscopio atómico de la fuerza, el tipo por el instrumento romano de los espectros, la resistencia por el equipo de prueba sin contacto de resistencia, la densidad del micropipe por el microscopio de polarización, la orientación por la radiografía Orientator etc. si las obleas cumplen el requisito, nosotros limpiaremos y embalarlos en sitio limpio de 100 clases, si las obleas no hacen juego espec. de la aduana, la quitaremos.

Proyecto de la prueba: Proyecto de FWHM y de XRD

El de ancho total de media altura (FWHM) es una expresión de la gama de funciones dadas por la diferencia entre dos valores extremos de la variable independiente igual a la mitad de su máximo. Es decir es la anchura de la curva espectral medida entre esos puntos en Y-AXIS, que es mitad de la amplitud máxima.

Abajo está un ejemplo de FWHM y de XRD de la plantilla de AlN:

FWHM y XRD de la plantilla de AlN

FWHM y XRD de la plantilla de AlN

Aquí mostramos el experimento como un ejemplo:

Experimento en GaN en el zafiro: Propiedades optoelectrónicas y caracterización estructural de las películas gruesas de GaN en diversos substratos con la deposición del laser pulsado:

Experimento en GaN en el zafiro: Propiedades optoelectrónicas y caracterización estructural de las películas gruesas de GaN en diversos substratos con la deposición del laser pulsado:

Todas las muestras de la película de GaN fueron depositadas en diversos substratos por PLD en el ◦C 1000 en una atmósfera ambiente del plasma del nitrógeno. La cámara fue bombeada abajo a los torres 10−6 antes de que el proceso de la deposición comenzara, y el gas del N2 (con una pureza de 99,999%) fue introducido. La presión de funcionamiento una vez que el plasma del N2 fue inyectada era el torr 1,13 del × 10−4. Un laser del excímero de KrF (λ = 248 nanómetro, lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, los E.E.U.U.) fue empleado como la fuente de la ablación y actuado con un índice de la repetición de 1 herzios y de una energía de pulso de 60 mJ. La tasa de crecimiento media de la película de GaN era aproximadamente 1 µm/h. El de rayo láser era incidente en una blanco giratoria en ángulo de 45◦. La blanco de GaN fue fabricada por HVPE y el sistema en una distancia fija de 9 cm del substrato antes de ser girada en 30 RPM durante la deposición de la película. En este caso, ~4 películas µm-gruesas de GaN fueron crecidas en una plantilla de GaN/del zafiro (muestra A), zafiro (muestra B), Si (111) (la muestra C), y Si (100) (la muestra D). Para el GaN en la muestra A, una capa de los 2-µm GaN en primer lugar fue depositada en el substrato del zafiro por el MOCVD. La microscopia electrónica de la exploración (SEM, S-3000H, Hitachi, Tokio, Japón), el microcopy del electrón de la transmisión (TEM, H-600, Hitachi, Tokio, Japón), la microscopia atómica de la fuerza (AFM, DI-3100, Veeco, Nueva York, NY, los E.E.U.U.), la difracción de radiografía del doble-cristal (XRD, X'Pert FAVORABLE milirutherford, PANalytical, Almelo, los Países Bajos), el photoluminescence a baja temperatura (PL, Flouromax-3, Horiba, Tokio, Japón), y la espectroscopia de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tokio, Japón) fueron empleados para explorar la microestructura y las propiedades ópticas de las plantillas de GaN depositadas en diversos substratos. Las propiedades eléctricas de las películas de GaN fueron determinadas por la medida de Van der Pauw-Pasillo debajo del nitrógeno líquido que se refrescaba en 77 K

La resistencia eléctrica de las películas de GaN crecidas en diversos substratos se muestra en la figura 5a. La resistencia eléctrica de las cuatro muestras fue encontrada para estar en el Ω 16.2-32.8 de la gama·cm. La resistencia eléctrica de la muestra D era la más grande, mientras que el de la muestra A era el más pequeño. La resistencia eléctrica correlaciona con densidad del defecto, y la alta densidad del defecto en las películas puede causar una disminución de la resistencia eléctrica [30]. Los valores de la resistencia eléctrica de las muestras C y D estaban muy cercanos, que es constante con las características estructurales de las películas crecidas en estos substratos, según lo discutido arriba. Pues la resistencia eléctrica es inverso proporcional a la concentración de portador y a la movilidad de portador, la resistencia eléctrica de las películas crecidas en los diversos substratos puede ser resuelta de sus measdiscuurements. Pasillo a baja temperatura que los datos de la medida de las películas de GaN crecidas en los diversos substratos se muestra en la figura 5b, muestra A de la C. mostró la concentración de portador más baja y la movilidad de portador más alta, de tal modo dando por resultado un mayor número de trayectorias conductoras. La concentración de portador en la muestra D era más alta que ésa en las otras, mientras que su movilidad de portador era la más baja. Esto se puede atribuir a la existencia de un alto defecto intrínseco y de varios límites de grano en la película. Estos defectos atrapan y dispersan electrones móviles, así disminuyendo su movilidad en las películas de GaN [31,32].

Cuadro 5. variación en (a) resistencia; (b) concentración de portador; y (c) movilidad de las películas de GaN con diversos substratos

Conclusión: los lms gruesos del fi de GaN crecidos en una plantilla de GaN/del zafiro, el zafiro, Si (111), y Si (100) por PLD de alta temperatura. El efecto del substrato sobre calidad cristalina del crecimiento de GaN, la morfología superficial, el comportamiento de la tensión, y la propiedad del interfaz fueron estudiados, si usted necesita más información de producto, nos investigan por favor.

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino de integración material del semiconductor del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es campo de dos tuberías: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN en sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades físicas, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace que la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.