10*10mm2 Si-dopó GaN/los substratos del zafiro para el transistor de GaN

10*10mm2 Si-dopó GaN/los substratos del zafiro para el transistor de GaN

Los productos de la plantilla de PAM-XIAMEN consisten en capas cristalinas de nitruro del galio (GaN), de nitruro de aluminio (AlN), de nitruro de aluminio del galio (AlGaN) y de nitruro del galio del indio (InGaN), que se depositan en los substratos del zafiro. Los productos de la plantilla de PAM-XIAMEN permiten 20-50% duraciones de ciclo más cortas de la epitaxia y capas epitaxiales más de alta calidad del dispositivo, con una mejor calidad estructural y una conductividad termal más alta, que pueden mejorar los dispositivos en el coste, el beneficio, y el funcionamiento.

El PAM-XIAMEN'sGaN en plantillas del zafiro está disponible en diámetros a partir de la 2" hasta 6", y consiste en una capa delgada de GaN cristalino crecida en un substrato del zafiro. plantillas Epi-listas ahora disponibles.

Aquí muestra la especificación de detalle:

substratos SI-dopados 10*10mm2 de GaN/del zafiro

substratos Si-dopados 10*10mm2 de GaN/del zafiro

Informe de FWHM y de XRD

Un informe de prueba es necesario mostrar la conformidad entre la descripción de encargo y nuestros datos finales de las obleas. Probaremos el characerization de la oblea por el equipo antes del envío, probando la aspereza superficial por el microscopio atómico de la fuerza, el tipo por el instrumento romano de los espectros, la resistencia por el equipo de prueba sin contacto de resistencia, la densidad del micropipe por el microscopio de polarización, la orientación por la radiografía Orientator etc. si las obleas cumplen el requisito, nosotros limpiaremos y embalarlos en sitio limpio de 100 clases, si las obleas no hacen juego espec. de la aduana, la quitaremos.

Proyecto de la prueba: Proyecto de FWHM y de XRD

El de ancho total de media altura (FWHM) es una expresión de la gama de funciones dadas por la diferencia entre dos valores extremos de la variable independiente igual a la mitad de su máximo. Es decir es la anchura de la curva espectral medida entre esos puntos en Y-AXIS, que es mitad de la amplitud máxima.

Abajo está un ejemplo de FWHM y de XRD de la plantilla de AlN:

FWHM y XRD de la plantilla de AlN

FWHM y XRD de la plantilla de AlN

Aquí mostramos el experimento como un ejemplo:

Experimento en GaN en el zafiro: Propiedades optoelectrónicas y caracterización estructural de las películas gruesas de GaN en diversos substratos con la deposición del laser pulsado:

Experimento en GaN en el zafiro: Propiedades optoelectrónicas y caracterización estructural de las películas gruesas de GaN en diversos substratos con la deposición del laser pulsado:

Todas las muestras de la película de GaN fueron depositadas en diversos substratos por PLD en el ◦C 1000 en una atmósfera ambiente del plasma del nitrógeno. La cámara fue bombeada abajo a los torres 10−6 antes de que el proceso de la deposición comenzara, y el gas del N2 (con una pureza de 99,999%) fue introducido. La presión de funcionamiento una vez que el plasma del N2 fue inyectada era el torr 1,13 del × 10−4. Un laser del excímero de KrF (λ = 248 nanómetro, lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, los E.E.U.U.) fue empleado como la fuente de la ablación y actuado con un índice de la repetición de 1 herzios y de una energía de pulso de 60 mJ. La tasa de crecimiento media de la película de GaN era aproximadamente 1 µm/h. El de rayo láser era incidente en una blanco giratoria en ángulo de 45◦. La blanco de GaN fue fabricada por HVPE y el sistema en una distancia fija de 9 cm del substrato antes de ser girada en 30 RPM durante la deposición de la película. En este caso, ~4 películas µm-gruesas de GaN fueron crecidas en una plantilla de GaN/del zafiro (muestra A), zafiro (muestra B), Si (111) (la muestra C), y Si (100) (la muestra D). Para el GaN en la muestra A, una capa de los 2-µm GaN en primer lugar fue depositada en el substrato del zafiro por el MOCVD. La microscopia electrónica de la exploración (SEM, S-3000H, Hitachi, Tokio, Japón), el microcopy del electrón de la transmisión (TEM, H-600, Hitachi, Tokio, Japón), la microscopia atómica de la fuerza (AFM, DI-3100, Veeco, Nueva York, NY, los E.E.U.U.), la difracción de radiografía del doble-cristal (XRD, X'Pert FAVORABLE milirutherford, PANalytical, Almelo, los Países Bajos), el photoluminescence a baja temperatura (PL, Flouromax-3, Horiba, Tokio, Japón), y la espectroscopia de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tokio, Japón) fueron empleados para explorar la microestructura y las propiedades ópticas de las plantillas de GaN depositadas en diversos substratos. Las propiedades eléctricas de las películas de GaN fueron determinadas por la medida de Van der Pauw-Pasillo debajo del nitrógeno líquido que se refrescaba en 77 K

El cuadro 2 muestra una comparación de los modelos típicos de XRD de 0002) películas de GaN (crecidas en diversos substratos. Puede ser visto que hay una variación en el valor de FWHM (de los 0002) picos de la difracción, y las intensidades del pico de la difracción de GaN en los diversos substratos fueron obtenidas aproximadamente 34,5 grados. La intensidad de GaN (0002) en muestra A es la más fuerte entre todas las muestras, que indica que las películas de GaN en la plantilla de GaN/del zafiro c-están orientadas y tienen altamente mejor calidad cristalina. El FWHM de GaN (0002) valora para las muestras A, B, C, y D fue medido en 0.19◦, 0.51◦, 0.79◦, y 1.09◦, respectivamente. Sin embargo, la intensidad máxima de XRD aumenta mientras que FWHM disminuye; esto se atribuye al aumento en el tamaño del cristalito debido a la agregación de pequeños granos o al movimiento del límite de grano durante el proceso del crecimiento. Puesto que el FWHM del pico de la difracción de XRD está en relación con el tamaño de grano medio del cristalito en la película [26], el tamaño de grano de GaN crecido en los diversos substratos se calcula usando la ecuación de Debye-Scherer [27]: D = 0.9λ/FWHMcosθ (1) donde está el tamaño D del cristalito, λ es la longitud de onda de la radiografía, y el θ es el ángulo de la difracción. Los tamaños del cristalito de las muestras A, B, C, y D se estiman para ser 57, 20, 13, y 9 nanómetro, respectivamente. Estos resultados indican que la calidad cristalina de las películas de GaN crecidas en las muestras A y B es mejor que la de las películas crecidas en las muestras C y D. Appl. Sci. 2017, 7, 87 3 de 9 GaN/plantillas del zafiro son altamente ‐ de c orientado y tienen mejor calidad cristalina. El FWHM de GaN (0002) valora para las muestras A, B, C, y D fue medido en 0.19°, 0.51°, 0.79°, y 1.09°, respectivamente. Sin embargo, la intensidad máxima de XRD aumenta mientras que FWHM disminuye; esto se atribuye al aumento en el tamaño del cristalito debido a la agregación de pequeños granos o al movimiento del límite de grano durante el proceso del crecimiento. Puesto que el FWHM del pico de la difracción de XRD está en relación con el tamaño de grano medio del cristalito en la película [26], el tamaño de grano de GaN crecido en los diversos substratos se calcula usando la ecuación de Scherer del ‐ de Debye [27]: D = 0.9λ/FWHMcos θ (1) donde está el tamaño D del cristalito, λ es la longitud de onda del rayo del ‐ de X, y el θ es el ángulo de la difracción. Los tamaños del cristalito de las muestras A, B, C, y D se estiman para ser 57, 20, 13, y 9 nanómetro, respectivamente. Estos resultados indican que la figura de c

2. Resultados de las medidas de (XRD) de la difracción de radiografía de las películas de GaN crecidas en diversos substratos

Conclusión: los lms gruesos del fi de GaN crecidos en una plantilla de GaN/del zafiro, el zafiro, Si (111), y Si (100) por PLD de alta temperatura. El efecto del substrato sobre calidad cristalina del crecimiento de GaN, la morfología superficial, el comportamiento de la tensión, y la propiedad del interfaz fueron estudiados, si usted necesita más información de producto, nos investigan por favor.

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.