Un substrato libre plano de U-GaN Hvpe-GaN para los dispositivos del Iii-nitruro

Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1-10,000pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10.000 obleas/mes
Plazo de expedición:5-50 días laborables
Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solo envase, bajo atmósfera del nitr
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Un substrato libre plano de U-GaN Hvpe-GaN para los dispositivos del Iii-nitruro

 

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.

 

PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.

 

Aquí muestra la especificación de detalle:

Un substrato libre plano de U-GaN GaN

ArtículoA-U PAM-FS-GaN
Dimensión5 x 10 milímetros2
Grueso350 ±25 µm del µm 430±25
Orientación

Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 ±0.5°

Un avión (11-20) del ángulo hacia C-AXIS -1 ±0.2°

Tipo de la conducciónN-tipo
Resistencia (300K)< 0="">
TTVµm del ≤ 10
ARCO-10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm
Aspereza superficial:

Parte delantera: Ra<0>

Lado trasero: Tierra fina o pulido.

Densidad de dislocaciónA partir de la 1 de x 10 5 a 5 de x 106 cm-2
Densidad macra del defecto0 cm2s
Área usable> el 90% (exclusión del borde)
Paquetecada uno en solo envase de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno, llena en sitio limpio de la clase 100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Un substrato libre plano de U-GaN GaN

El substrato de GaN de PAM-XIAMEN (nitruro del galio) es substrato monocristal con de alta calidad, que se hace con método de HVPE y tecnología de proceso originales de la oblea. Son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para LED blanco y LD (violeta, azul y verde), además el desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.

 

GaN es un muy duro (12±2 GPa, material ancho mecánicamente estable del semiconductor del bandgap con capacidad de alto calor y conductividad termal. En su forma pura resiste el agrietarse y puede ser depositado en película fina en el carburo del zafiro o de silicio, a pesar de la unión mal hecha en sus constantes del enrejado. GaN se puede dopar con el silicio (Si) o con el n-tipo del oxígeno y con el p-tipo de (Mg) del magnesio. Sin embargo, cambio de los átomos del Si y del magnesio la manera que los cristales de GaN crecen, introduciendo tensiones extensibles y haciéndolas frágiles. Los compuestos de Galliumnitride también tienden a tener una alta densidad de dislocación, por orden de 108 a 1010 defectos por centímetro cuadrado. El comportamiento amplio de banda-Gap de GaN está conectado con los cambios específicos en la estructura de banda electrónica, el empleo de la carga y las regiones del vínculo químico.

 

Constante del enrejado del substrato de GaN

 

Los parámetros del enrejado del nitruro del galio fueron medidos usando la alta difracción del rayo del ‐ de la resolución x del ‐

 

 

GaN, sructure de la wurzita. Los constantes a del enrejado contra temperatura.

 

 

GaN, sructure de la wurzita. Los constantes c del enrejado contra temperatura

 

 

Propiedades del substrato de GaN

 

PROPIEDAD/MATERIALGaN (beta) cúbicoGaN (alfa) hexagonal
...
EstructuraBlenda de cincWurzite
Grupo de espacioF bar4 3MC46v (= P63mc)
EstabilidadMetaestableEstable
Parámetros del enrejado en 300K0,450 nanómetrosa0 = 0,3189 nanómetros
c0 = 0,5185 nanómetros 
Densidad en 300K6,10 g.cm -36,095 g.cm -3
Módulos de elástico en 300 K. .. .
Coeficientes lineares de la extensión termal.. .A lo largo de a0: 5.59x10-6 K-1
A lo largo de c0: 7.75x10-6 K-1
en 300 K
Polarizaciones espontáneas calculadasNo aplicable– 0,029 C m-2
Bernardini y otros 1997
Bernardini y Fiorentini 1999
Coeficientes piezoeléctricos calculadosNo aplicablee33 = + 0,73 C m-2
e31 = – 0,49 C m-2
Bernardini y otros 1997
Bernardini y Fiorentini 1999
Energías del fonónPARA: MeV 68,9 
LO: MeV 91,8
A1 (A): MeV 66,1
E1 (A): MeV 69,6
E2: MeV 70,7
A1 (LO): MeV 91,2
E1 (LO): MeV 92,1
Temperatura de Debye 600K (estimado)
Slack, 1973
Conductividad termal
300K cercano
. .Unidades: Wcm-1K-1

1,3,
Tansley y otros 1997b

2.2±0.2
para densamente, GaN libre
Vaudo y otros, 2000

2,1 (0,5)
para el material de LEO
donde pocas dislocaciones (muchos)
Florescu y otros, 2000, 2001

circa 1,7 a 1,0
para n=1x1017 a 4x1018cm-3
en material de HVPE
Florescu, Molnar y otros, 2000

2,3 ± 0,1
en material FE-dopado de HVPE
de CA 2 x108 ohmio-cm,
y densidad de dislocación CA 105 cm2s
(efectos de T y de la densidad de dislocación también dados).
Mion y otros, 2006a, 2006b
Punto de fusión. .. .
Constante dieléctrica
en la frecuencia baja/baja
. .A lo largo de a0: 10,4
A lo largo de c0: 9,5
Índice de refracción2,9 en 3eV
Tansley y otros 1997b
2,67 en 3.38eV
Tansley y otros 1997b
Naturaleza de la energía Gap Eg.DirectoDirecto
Energía Gap Eg. en 1237K eV 2,73
Ching-Hua Su y otros, 2002
Energía Gap Eg. en 293-1237 K 3.556 - 9.9x10-4T2/eV (T+600)
Ching-Hua Su y otros, 2002
Energía Gap Eg. en 300 KeV 3,23
Ramírez-Flores y otros 1994
.
eV 3,25
Logothetidis y otros 1994
eV 3,44
Monemar 1974
.
eV 3,45
Koide y otros 1987
.
eV 3,457
Ching-Hua Su y otros, 2002
Energía Gap Eg. en CA 0 KeV 3,30
Ramírez-Flores y al1994
Ploog y otros 1995
eV 3,50
Dingle y otros 1971
Monemar 1974
Conc. del portador intrínseco en 300 K. .. .
Energía de ionización… del donante. ….. ….
Masa eficaz del electrón yo */m0. .0,22
Moore y otros, 2002
Movilidad de electrón en 300 K
para n = 1x1017 cm-3:
para n = 1x1018 cm-3:
para n = 1x1019 cm-3:
. .CA 500 cm2V-1s-1
CA 240 cm2V-1s-1
CA 150 cm2V-1s-1

Montó y Gaskill, 1995
Tansley y otros 1997a
Movilidad de electrón en 77 K
para n =.
. ….. ….
Energía de ionización de aceptadores. .Magnesio: MeV 160
Amano y otros 1990

Magnesio: MeV 171
Zolper y otros 1995

Ca: MeV 169
Zolper y otros 1996
Movilidad de pasillo del agujero en 300 K
para el p=….
. .. ….
Movilidad de pasillo del agujero en 77 K
para el p=….
. ….. .
.GaN (beta) cúbicoGaN (alfa) hexagonal

 

Uso del substrato de GaN

 

El nitruro del galio (GaN), con un hueco de banda directo del eV 3,4, es un material prometedor en el desarrollo de los dispositivos luminescentes de la cortocircuito-longitud de onda. Otras aplicaciones para dispositivos ópticas para GaN incluyen los lasers del semiconductor y los detectores ópticos.

 

 
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Un substrato libre plano de U-GaN Hvpe-GaN para los dispositivos del Iii-nitruro

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