substrato libre semipolar del cristal de N-GaN GaN del avión (de 20-21)

substrato libre semipolar del cristal de N-GaN GaN del avión (de 20-21)

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.

PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.

Aquí muestra la especificación de detalle:

substrato libre de N-GaN GaN del avión (de 20-21)

substrato libre de N-GaN GaN del avión (de 20-21)

El substrato de GaN de PAM-XIAMEN (nitruro del galio) es substrato monocristal con de alta calidad, que se hace con método de HVPE y tecnología de proceso originales de la oblea. Son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para LED blanco y LD (violeta, azul y verde), además el desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.

GaN es un muy duro (12±2 GPa, material ancho mecánicamente estable del semiconductor del bandgap con capacidad de alto calor y conductividad termal. En su forma pura resiste el agrietarse y puede ser depositado en película fina en el carburo del zafiro o de silicio, a pesar de la unión mal hecha en sus constantes del enrejado. GaN se puede dopar con el silicio (Si) o con el n-tipo del oxígeno y con el p-tipo de (Mg) del magnesio. Sin embargo, cambio de los átomos del Si y del magnesio la manera que los cristales de GaN crecen, introduciendo tensiones extensibles y haciéndolas frágiles. Los compuestos de Galliumnitride también tienden a tener una alta densidad de dislocación, por orden de 108 a 1010 defectos por centímetro cuadrado. El comportamiento amplio de banda-Gap de GaN está conectado con los cambios específicos en la estructura de banda electrónica, el empleo de la carga y las regiones del vínculo químico.

Estructura cristalina de la blenda de cinc

Estructura de banda para la blenda de cinc GaN

El material avanzado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) es una empresa de alta tecnología para el crecimiento cristalino del semiconductor del material del semiconductor compuesto, el desarrollo de proceso y la epitaxia de integración, especializándose en la investigación y la producción de obleas de semiconductor compuesto, allí es el campo principal dos: Material de SiC&GaN (sic oblea y epitaxia, oblea de GaN y oblea del epi) y material de III-V (servicio del substrato y del epi de III-V: Oblea del INP, oblea de GaSb, oblea del GaAs, oblea de InAs y oblea de InSb). Nuestras obleas son ampliamente utilizadas en la iluminación del semiconductor del LED, comunicación inalámbrica, energía solar, dispositivo infrarrojo, laser, detectores y los dispositivos de poder del semiconductor, incluyendo los dispositivos de poder, dispositivos des alta temperatura y dispositivos fotoeléctricos, en esto, oblea de GaN incluyendo GaN en el Si, GaN encendido sic y GaN en el zafiro están para LED mini/micro, la electrónica de poder y la microonda RF.

Como compañía profesional principal, estamos confiados constantemente a mejorar la calidad de productos existentes. PAM-XIAMEN tiene un equipo técnico fuerte de R y de D, integrado por estudiantes de tercer ciclo, los doctores, amos, y tiene una fuerza fuerte de R y de D. La espina dorsal técnica de la compañía casi se ha dedicado a la preparación material y diseño y desarrollo relacionados del equipo para 30years, y tiene investigación profundizada sobre las propiedades de la comprobación, químicas y eléctricas de los materiales, proceso material de la preparación. La acumulación de muchos años de deposición teórica y de experiencia práctica de personales científicos y tecnológicos hace a la compañía tiene penetraciones únicas y ventajas únicas en el desarrollo de materiales y del equipo relevantes, mientras que se asegura de que el esquema del diseño del funcionamiento y del equipo de producto de la compañía cubre las necesidades técnicas y tecnológicas reales de usuarios.