Canal N 100V 9.2A (Tc) 60W (Tc) del MOSFET de IRF520PBF IRF520 a través del agujero TO-220 IC Chip Original y nuevo
D/C:El más nuevo
PAQUETE:TO220, TO220
Number modelo:IRF520PBF
Tipo:Mosfet
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
P/N:IRF520PBF
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Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Descripción de producto
Detalle del producto
| Empaquetado | Tubo | |
|---|---|---|
| Situación de la parte | Activo | |
| Tipo del FET | Canal N | |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 100V | |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 9.2A (Tc) | |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 16nC @ 10V | |
| Vgs (máximo) | ±20V | |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| Característica del FET | - | |
| Disipación de poder (máxima) | 60W (Tc) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Montaje del tipo | A través del agujero | |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
| Paquete/caso | TO-220-3 |
Detalle del producto
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2. Orden de la muestra.
3. Le contestaremos para su investigación en 24 horas.
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5. Cuando usted consiguió las mercancías, la prueba ellas, y me da una reacción. Si usted tiene cualquier problema
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Canal N 100V 9.2A (Tc) 60W (Tc) del MOSFET de IRF520PBF IRF520 a través del agujero TO-220 IC Chip Original y nuevo
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