Canal N 500V 8A TO-220AB IRF840PBF del mosfet IRF840
Uso:Mosfet
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:IRF840
Tipo del paquete:Tubo
Tipo:Transistor del efecto de campo
Descripción:Canal N 500V 8A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Evaluación de proveedor
Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Detalle del producto
| Fabricante | Vishay Siliconix |
|---|---|
| Empaquetado | Tubo |
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 500V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Disipación de poder (máxima) | 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete/caso | TO-220-3 |
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Canal N 500V 8A TO-220AB IRF840PBF del mosfet IRF840
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