Transistor de poder del transistor del Mosfet del poder del canal N IRFP4710 IRFP4710PBF IRFP 100V 72A 190W TO-247
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:IRFP4710PBF, IRFP460PBF
Tipo del paquete:En el agujero
Marca:MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo del montaje:A través del agujero
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Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Detalle del producto
| Empaquetado | Tubo | |
|---|---|---|
| Situación de la parte | Activo | |
| Tipo del FET | Canal N | |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 100V | |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 72A (Tc) | |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 14 mOhm @ 45A, 10V | |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5.5V @ 250µA | |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 170nC @ 10V | |
| Vgs (máximo) | ±20V | |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 6160pF @ 25V | |
| Disipación de poder (máxima) | 190W (Tc) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Montaje del tipo | A través del agujero | |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC |
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