Del transistor original IRF3205 canal N original IRF3205PBF del transistor del Mosfet del poder del IRF 3205 del transistor del Mosfet IRF3205 IRF3205
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:IRF3205PBF
Tipo del paquete:En el agujero
Marca:MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo del montaje:A través del agujero
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Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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| Empaquetado | Tubo |
|---|---|
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 55V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Disipación de poder (máxima) | 200W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
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