Transistor 20V 6A SOT-23 del MOSFET del P-canal del transistor SI2399DS-T1-GE3 de SI2399DS
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:SI2399DS-T1-GE3
Tipo del paquete:soporte superficial
Marca:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo del montaje:soporte superficial
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Evaluación de proveedor
Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloquean A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Detalle del producto
| Serie | TrenchFET® |
|---|---|
| Empaquetado | Corte la cinta (los CT) |
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo del FET | P-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 34 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1.5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Vgs (máximo) | ±12V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 835pF @ 10V |
| Disipación de poder (máxima) | 2.5W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
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Transistor 20V 6A SOT-23 del MOSFET del P-canal del transistor SI2399DS-T1-GE3 de SI2399DS
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