2N7002 soporte superficial del canal N 60V 115MA SOT-23 200mW del transistor del MOSFET del transistor 2N7002
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:2N7002
Tipo del paquete:soporte superficial
Marca:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo del montaje:soporte superficial
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Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Detalle del producto
| Empaquetado | Corte la cinta (los CT) |
|---|---|
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 60V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 115mA (TA) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 7,5 ohmios @ 500mA, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Disipación de poder (máxima) | 200mW (TA) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 (TO-236AB) |
| Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Número de parte bajo | 2N7002 |
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2N7002 soporte superficial del canal N 60V 115MA SOT-23 200mW del transistor del MOSFET del transistor 2N7002
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