Transistor del MOSFET del poder del canal N del transistor SPP20N60C3 TO-220 20A 650V del transistor 20N60COSFET IC 20N60C3
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:SPP20N60C3
Tipo del paquete:En el agujero
Tipo:Transistor del triodo
Empaquetado:Tubo
Situación sin plomo/situación de RoHS:Sin plomo/RoHS obediente
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Evaluación de proveedor
Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Detalle del producto
| Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|
| Serie | CoolMOS™ |
| Empaquetado | Tubo |
| Situación de la parte | No para los nuevos diseños |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 600V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.9V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Disipación de poder (máxima) | 208W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
| Paquete/caso | TO-220-3 |
Transistor del MOSFET del poder del canal N del transistor SPP20N60C3 TO-220 20A 650V del transistor 20N60COSFET IC 20N60C3
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