Pulverice el componente electrónico IC del convertidor de la eficacia alta DC-DC del canal N del transistor TPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 del Mosfet
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Number modelo:TPCA8016-H
Tipo del paquete:QFN8
Tipo:Transistor del efecto de campo
Paquete/caso:QFN8
Situación sin plomo/situación de RoHS:Sin plomo/RoHS obediente
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Evaluación de proveedor
Shenzhen
Dirección:
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Descripción de producto
| Empaquetado | Digi-carrete |
|---|---|
| Situación de la parte | Obsoleto |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 60V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 25A (TA) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 21 mOhm @ 13A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.3V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1375pF @ 10V |
| Disipación de poder (máxima) | 1.6W (TA), 45W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Avance 8-SOP (5x5) |
| Paquete/caso | 8-PowerVDFN |
Característica:
Usos de gran eficacia del convertidor de DC/DC
• Pequeña huella debido al paquete pequeño y fino
• Transferencia de alta velocidad
• Pequeña carga de la puerta: Qsw = 6,6 nC (tipo.)
• Dren-fuente baja EN resistencia: MΩ 16 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.)
• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 40 S (tipo.)
• Corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 60 V)
• Modo del aumento: Vth = 1,1 a 2,3 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1 mA)
Usos de gran eficacia del convertidor de DC/DC
• Pequeña huella debido al paquete pequeño y fino
• Transferencia de alta velocidad
• Pequeña carga de la puerta: Qsw = 6,6 nC (tipo.)
• Dren-fuente baja EN resistencia: MΩ 16 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.)
• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 40 S (tipo.)
• Corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 60 V)
• Modo del aumento: Vth = 1,1 a 2,3 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1 mA)
Yonlanda Skype: qyt-yolanda1 Correo electrónico: yonlandasong (en) quanyuantong.net |
Pulverice el componente electrónico IC del convertidor de la eficacia alta DC-DC del canal N del transistor TPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 del Mosfet
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