El jefe TO8 encapsuló el paquete del esquema del transistor de los componentes

Lugar del origen:HEFEI, China
Cantidad de orden mínima:50 PC
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:5000000 PCS/Month
Plazo de expedición:30 días
Detalles de empaquetado:CAJAS
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Miembro del sitio
Hefei Anhui China
Dirección: Camino de No.451 Huangshan, Hefei, Anhui, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 27 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
Nombre de producto:Paquete sellado de la aleación del recinto para el circuito
Final:Completamente platear el Au o el Au que platea selectivo.
Platear la capa:Ni de la galjanoplastia de la placa y de la ventaja: 4-11.43um, plateando el Au: 1.0-1.3um. Casquillo que platea el Ni: 4-11.43um.
Formación del producto:MaterialCantidad
1. Casquillo10#Steel1
2. Anillo de soldaduraHLAgCu281
3. Ventaja 14J29 (Kovar)1
4. Aislador de cristalBH-G/K3
5. Ventaja 24J29 (Kovar)3
6. Piso inferior4J29 (Kovar)1
Resistencia de aislamientola resistencia de 500V DC entre el solos perno y cáscara sellados de cristal es ≥1*1010Ω
HermeticityLa tarifa del escape es ≤1*10-3Pa.cm3/s
Características de producto:1. Shell adopta el material: FeNiCo, FeNi42 o CRS;
2. La forma del perno es cyclinder y recto, el material adopta Kovar.
3. El método del casquillo de aislamiento es soldadura de percusión o soldadura de la lata.

4. La fila de perno que cruzan la parte inferior de la base podría ser elegida

por los clientes.

5. La posición del perno de tierra se puede elegir por el cliente.
6. El diseño de casquillos necesita caber la cáscara.
7. El cliente podría elegir la cáscara completamente el platear o galjanoplastia selectiva del perno.
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El jefe TO8 encapsuló el paquete del esquema del transistor de los componentes

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