El alto PWB del Tg imprimió la placa de circuito S1000-2MB Prepreg con oro de la inmersión

Number modelo:BIC-504.V1.0
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Plazo de expedición:8-9 días laborables
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Shenzhen Guangdong China
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El alto Tg imprimió la placa de circuito (PWB) en S1000-2M Core y S1000-2MB Prepreg con oro de la inmersión

(Las placas de circuito impresas son productos por encargo, la imagen y los parámetros mostrados están apenas para la referencia)

 

Descripción general

S1000-2M es un tipo de alto Tg imprimió el material de la placa de circuito manufacturado por Shengyi con las características del alto rendimiento y de CTE bajo, convenientes para el alto PWB de múltiples capas. El grueso se extiende 0.05m m a 3.2m m, el peso de cobre 0.5oz a 3oz etc.

 

Características

Lamina compatible sin plomo FR-4

Tg170℃ (DSC), Blocking/AOI ULTRAVIOLETA compatible

Alta resistencia térmica

Z-AXIS más bajo CTE

Confiabilidad excelente del por-agujero

Funcionamiento excelente de Anti-CAF

Absorción de agua baja

Procesabilidad mecánica excelente

 

 

Usos

Ordenador

Comunicación

Electrónica de automóvil

Conveniente para el alto PWB de la cuenta de la capa

 

Nuestra capacidad del PWB (S1000-2M)

Material del PWB:Alto Tg, alto rendimiento y resina de epoxy baja de CTE
Designación:S1000-2M
Constante dieléctrica:4,6 en 10GHz
Cuenta de la capa:Capa doble, PWB de múltiples capas, híbrido
Peso de cobre:0.5oz (17 µm), 1oz (los 35µm), 2oz (los 70µm), 3oz (los 105µm)
Grueso del PWB:0.6m m, 0.8m m, 1.0m m, 1.2m m, 1.6m m, 1.8m m, 2.0m m, 2.4m m, 3.0m m, 3.2m m
Tamaño del PWB:≤400mm X 500m m
Máscara de la soldadura:Etc. del verde, del negro, de Matt Black, del azul, de Matt Blue, amarillo, rojo.
Final superficial:Cobre desnudo, HASL, ENIG, OSP, lata de la inmersión, plata de la inmersión etc….
Tecnología:HDI, vía en el cojín, control de la impedancia, ciegan la galjanoplastia vía/enterrado vía, del borde, BGA, los agujeros etc. de Countsunk.

 

Propiedades generales de S1000-2M

Artículos de la pruebaMétodo de pruebaCondición de pruebaUnidadValor típico
TgIPC-TM-650 2.4.24.4Acceso directo de memoria185
IPC-TM-650 2.4.25DDSC180
TDIPC-TM-650 2.4.24.6TGA (EL 5% W.L)355
T260IPC-TM-650 2.4.24.1TMAminuto>60
T288IPC-TM-650 2.4.24.1TMAminuto30
T300IPC-TM-650 2.4.24.1TMAminuto15
Tensión termalIPC-TM-650 2.4.13.1288, inmersión de la soldaduras>100
CTE (Z-AXIS)IPC-TM-650 2.4.24Antes del Tgppm/℃41
IPC-TM-650 2.4.24Después del Tgppm/℃208
IPC-TM-650 2.4.2450-260℃%2,4
Permitividad (1GHz)IPC-TM-650 2.5.5.9C-24/23/50-4,6
Tangente de la pérdida (1GHz)IPC-TM-650 2.5.5.9C-24/23/50-0,018
Resistencia de volumenIPC-TM-650 2.5.17.1C-96/35/90MΩ-cm8.7×108
Resistencia superficialIPC-TM-650 2.5.17.1C-96/35/902.2×107
Resistencia de arcoIPC-TM-650 2.5.1D-48/50+D-0.5/23s133
Avería dieléctricaIPC-TM-650 2.5.6D-48/50+D-0.5/23kilovoltio>45
Fuerza de cáscara (1oz)IPC-TM-650 2.4.8288℃/10sN/mm [lb/in]1,3 [7,43]
Fuerza flexural (LW/CW)IPC-TM-650 2.4.4Mpa567/442
Absorción de aguaIPC-TM-650 2.6.2.1D-24/23%0,08
InflamabilidadUL94C-48/23/50GradoV-0
CTIIEC60112GradoPLC 3

 

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El alto PWB del Tg imprimió la placa de circuito S1000-2MB Prepreg con oro de la inmersión

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