Chip CI de memoria Flash de M12L64164A-6TG2Y
Number modelo:CI de memoria ESMT
Lugar del origen:Taiwán
Cantidad de orden mínima:100pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram
Detalles de empaquetado:empaquetado original
Nombre de producto:Circuito integrado
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
6F, Z-buen parque de la innovación de la ciencia, camino de no. 4 Yintian, Sub-distrito de Xixiang, distrito de Banao, Shenzhen, China
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Memoria IC de la electrónica de ESMT
Elite Semiconductor Memory Technology Inc. (‘ESMT "), una compañía Taiwán-basada del diseño de IC de la memoria, fue fundada por el Dr. Chao en junio de 1998. Nos hemos definido inicialmente como proveedor de la diversa memoria ICs. En contraste con de memoria principal, es decir, COPITA usada para las PC, servidores, y los puestos de trabajo, nuestros productos de la COPITA se centran en las memorias de la COPITA de la especialidad, que se utilizan en sectores tales como periférico de la PC, productos de IA, productos de consumo, dispositivos ópticos, y dispositivos de comunicación.
Nosotros ETSE ofrecer a toda clase de chips CI de la electrónica de ESMT los componentes, microprocesadores de los microcontroladores del BRAZO, interruptor ICs, microprocesadores análogos de los ICs del interruptor, interruptor ICs, ICs contrarios, interruptor ICs, ICs de carga inalámbricos del autobús de Digitaces del multiplexor del USB y así sucesivamente.
| Modelo no. | Descripción | Modelo no. | Descripción |
|---|---|---|---|
| M12L16161A-5TG2Q | datos síncronos 2Banks de 512K x 16Bit x altos tarifa RAM dinámico, 50 TSOPII, SDRAM 3.3V | M12L32321A-5BG2G | tarifa de datos síncrona 2Banks de 512K x 32Bit x alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L16161A-7TG2Q | datos síncronos 2Banks de 512K x 16Bit x altos tarifa RAM dinámico, 50 TSOPII, SDRAM 3.3V | M12L32321A-6BG2G | tarifa de datos síncrona 2Banks de 512K x 32Bit x alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-5TG2Y | el 1M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L32321A-7BG2G | tarifa de datos síncrona 2Banks de 512K x 32Bit x alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-6TG2Y | el 1M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L128168A-5TG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-7TG2Y | el 1M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L128168A-6TG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-5BG2Y | el 1M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L128168A-7TG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-6BG2Y | el 1M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L2561616A-5TG2S | los 4M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-7BG2Y | el 1M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L2561616A-6TG2S | los 4M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L5121632A-5TG2S | los 8M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L2561616A-7TG2S | los 4M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| M12L5121632A-6TG2S | los 4M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V | M12L5121632A-7TG2S | los 4M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, SDRAM 3.3V |
| EN39LV010 | 1 megabit (128K x de 8 bits) sector uniforme de 4 kilobytes, Cmos memoria Flash de 3,0 voltios-solamente | EN29LV040A | Sector uniforme de 4 megabits (512K x de 8 bits), Cmos memoria Flash de 3,0 voltios-solamente |
| EN29LV400A | Memoria Flash de 4 megabits (512K x de 8 bits/256K x de 16 bits) Memoria Flash del sector de inicio, Cmos 3,0 voltios-solamente | EN29LV800C | Memoria Flash de 8 megabits (1024K x de 8 bits/512K x de 16 bits), memoria Flash del sector de inicio, Cmos 3V |
| EN39SL800 | Memoria Flash de 8 megabits (512K x de 16 bits) con 4Kbytes el sector uniforme, Cmos 1,8 voltios-solamente | EN29LV160C | Memoria Flash de 16 megabits (2048K x de 8 bits/1024K x16-bit), memoria Flash del sector de inicio, Cmos 3.0V |
| EN39SL160AH/L | Memoria Flash de 16 megabits (1024K x de 16 bits) con 4Kbytes el sector uniforme, Cmos 1,8 voltios-solamente | EN29LV320C | Memoria Flash de 32 megabits (4096K x de 8 bits/2048K x16-bit), memoria Flash del sector de inicio, Cmos 3.0V |
| EN29LV160D (2W) | Memoria Flash de 16 megabits (2048K x de 8 bits/1024K x de 16 bits) Memoria Flash del sector de inicio, Cmos 3,0 voltios-solamente | EN29LV640A | Memoria Flash de 64 megabits (los 8M x de 8 bits/los 4M x de 16 bits), memoria Flash del sector de inicio, Cmos 3.0V |
| M12L16161A-5TVG2Q | tarifa de datos síncrona 2Banks de 512K x 16Bit x alta RAM dinámico, 50 TSOPII, grado automotriz | M12L64164A (2C) | el 1M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, grado automotriz |
| M12L16161A-7TVG2Q | tarifa de datos síncrona 2Banks de 512K x 16Bit x alta RAM dinámico, 50 TSOPII, grado automotriz | M12L128168A-5TVG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, grado automotriz |
| M12L128168A-5TVAG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, grado automotriz | M12L128168A-6TVG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, grado automotriz |
| M12L128168A-6TVAG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, grado automotriz | M12L128168A-7TVG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, grado automotriz |
| M12L128168A-7TVAG2N | los 2M x 16 mordieron x tarifa de 4 datos síncrona de los bancos alta RAM dinámico, grado automotriz | AD62556 | Regulador audio del USB con el conductor del auricular y con el micrófono/el interfaz de la línea de entrada |
| AD22654 | línea conductor del casquillo-Menos 3-Vrms con aumento ajustable | AD22650 | conductor de línea estéreo del casquillo-menos 3-Vrms para la sola electrónica de la fuente |
| AD22654B | conductor de línea estéreo del casquillo-menos 3-Vrms para la sola electrónica de la fuente | AD62550 | Amplificador de potencia audio de la clase-d con USB/I2 Interfaz de S |
| AD62553 | Regulador audio del USB y interfaz de la línea de entrada Con el amplificador de potencia de la clase-d y el conductor del auricular | AD62557 | Regulador audio del USB con el amplificador de potencia de la clase-d y con el micrófono/el interfaz de la línea de entrada |
Nosotros ETSE también comprar el sobreabastecimiento, el exceso,
productos exceso, interrumpidos e inventario obsoleto de la
electrónica. Estamos interesados en toda clase de ICs,
condensadores y cualquier otro componente de la electrónica que
usted pueda tener para un almacén del descuento.
Chip CI de memoria Flash de M12L64164A-6TG2Y
Carro de la investigación
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