Arsenal de puerta programable del campo de EP3SE80F780C3N 500kbit
Number modelo:EP3SE80F780C3N
Cantidad de orden mínima:1 PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal, garantía comercial, tarjeta de crédito
Capacidad de la fuente:136pcs
Plazo de expedición:3-5 día
Detalles de empaquetado:Empaquetado del estándar internacional
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
R1811, edificio de B, torre de Jiahe, No.3006 Shennan mediados de Rd, Shenzhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Arsenal de puerta programable del campo de EP3SE80F780C3N Stratix III aumentado
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Intel | |
| FPGA - Arsenal de puerta programable del campo | |
| Stratix III aumentado | |
| 80000 | |
| 3200 | |
| Entrada-salida 488 | |
| 1,2 V a 3,3 V | |
| 0 C | |
| + 70 C | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-780 | |
| Bandeja | |
| Serie: | Stratix III |
| Marca: | Intel/Altera |
| Bloque integrado RAM - EBR: | kbit 500 |
| Humedad sensible: | Sí |
| Tipo de producto: | FPGA - Arsenal de puerta programable del campo |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 36 |
| Subcategoría: | Lógica programable ICs |
| Memoria total: | kbit 6683 |
| Marca registrada: | Stratix |
| Parte # alias: | 971852 |
Los dispositivos de Stratix III ofrecen las características siguientes:
■Ayuda para los megafunctions múltiples de la propiedad intelectual
de las funciones y del programa de socios de Altera Megafunction
(AMPPSM) de Altera® MegaCore®
■Ayuda para los estándares de alta velocidad del autobús del establecimiento de una red y de las comunicaciones incluyendo SPI-4.2, SFI-4, SGMII, Utopía IV, 10 Gigabit Ethernet XSBI, la entrada-salida rápida, y NPSI
■La única alta densidad, FPGA de alto rendimiento con la ayuda para 256 el pedazo AES volátil y la llave permanente de la seguridad para proteger diseños
■Los bloques de alta velocidad de DSP proporcionan la puesta en práctica dedicada de 9×9, 12×12, 18×18, y los multiplicadores 36×36 (en hasta 550 megaciclos), multiplicar-acumulan funciones, y los filtros finitos de la respuesta de impulso (ABETO)
■Entrada-salida: Tierra: Ratio del PWR de 8:1: 1 junto con el en-dado y el en-paquete que desemparejan para la integridad de señal robusta
■Tecnología programable del poder, que minimiza poder mientras que maximiza funcionamiento del dispositivo
■Hasta 12 lazos sincronizados en fase (PLLs) por el dispositivo que apoyan la reconfiguración de PLL, el intercambio del reloj, el ancho de banda programable, la síntesis del reloj, y defasador dinámico
■Ayuda del interfaz de la memoria con lógica dedicada de DQS en todos los bancos de la entrada-salida
■Ayuda para los interfaces externos de alta velocidad de la memoria incluyendo RDA, DDR2, DDR3 SDRAM, RLDRAM II, QDR II, y QDR II+ SRAM en hasta 24 bancos modulares de la entrada-salida
■Ayuda para los estándares de alta velocidad del autobús del establecimiento de una red y de las comunicaciones incluyendo SPI-4.2, SFI-4, SGMII, Utopía IV, 10 Gigabit Ethernet XSBI, la entrada-salida rápida, y NPSI
■La única alta densidad, FPGA de alto rendimiento con la ayuda para 256 el pedazo AES volátil y la llave permanente de la seguridad para proteger diseños
■Los bloques de alta velocidad de DSP proporcionan la puesta en práctica dedicada de 9×9, 12×12, 18×18, y los multiplicadores 36×36 (en hasta 550 megaciclos), multiplicar-acumulan funciones, y los filtros finitos de la respuesta de impulso (ABETO)
■Entrada-salida: Tierra: Ratio del PWR de 8:1: 1 junto con el en-dado y el en-paquete que desemparejan para la integridad de señal robusta
■Tecnología programable del poder, que minimiza poder mientras que maximiza funcionamiento del dispositivo
■Hasta 12 lazos sincronizados en fase (PLLs) por el dispositivo que apoyan la reconfiguración de PLL, el intercambio del reloj, el ancho de banda programable, la síntesis del reloj, y defasador dinámico
■Ayuda del interfaz de la memoria con lógica dedicada de DQS en todos los bancos de la entrada-salida
■Ayuda para los interfaces externos de alta velocidad de la memoria incluyendo RDA, DDR2, DDR3 SDRAM, RLDRAM II, QDR II, y QDR II+ SRAM en hasta 24 bancos modulares de la entrada-salida
Arsenal de puerta programable del campo de EP3SE80F780C3N 500kbit
Carro de la investigación
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