Regulador del poder del SCR de los componentes Skkt162 16e del semiconductor de los módulos de poder del tiristor

Number modelo:SKKT106/16E
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10 pedazos
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos/pedazos por el semiconductor Skkt162 de los módulos del mes
Plazo de expedición:1-10T - se negocie 7Days, 11-25T - 10Days, 26-100 - 10Days, > 100-To
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Shanghai Shanghai China
Dirección: 88 siglo Dadao, nueva área de Pudong, Shangai, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 28 Horas
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Regulador del poder del SCR de los componentes Skkt162 16e del semiconductor de los módulos de poder del tiristor

No. SKKT162/16 (del modelo podemos ofrecer otros modelos tales como MTT, PK, TT, SKKT, SKKH, IRKT, MCC, CTT, paladio, TM…)

Nombre de Produc: regulador del poder del SCR de los componentes skkt162 16e del semiconductor de los módulos de poder del tiristor

Usos:

1. el control de las eléctrico-máquinas de ac/dc y el diverso controlar de rectificación de la controlling&industral-calefacción

2. luz-regulación

3. interruptor del no-tacto

4. suave-arrancadores para el electromotor

5. el soldador/el transformador eléctricos de la frecuencia sube poder

6. carga y descarga de la batería

7. maquinaria del sector de la construcción

# propiedades del semiconductor Skkt162 de los módulos


Especificación

Condición de prueba

TJ

valores de parámetro

Unidad

Mínimo.

Típico

Máximo.

Él (sistemas de pesos americanos)

Corriente de la media de Tongtai

Onda sinusoidal en 180℃, 50Hz, disipación de calor de doble cara, TC=85℃

125



55

Él (RMS)

Corriente mala cuadrada de la raíz


125



86

Vdrm

voltaje máximo repetidor del apagado-estado

VDRM y VRRM tp=10rms

VDSM Y VRSM= VDRM& VRRM +200V

125

500


2500

V

Vrrm

voltaje reverso máximo repetidor

125

500


2500

V

Idrm

corriente máxima repetidor del apagado-estado

VDM = VDRM

VRM= VRRM

125



8

mA

Irrm

corriente máxima repetidor del revés

150



8

mA

Itsm

Sobretensión de no-repetición delantera

anchura de la parte inferior 10ms, Vr=0.6Vrrm mitad-sinusoide

125



1,25

KA

² t de I

Producto ajustado del tiempo de la sobretensión

25



7,80

A2S103

Vto

voltaje del umbral


125



0,85

V

rt

resistencia de la cuesta


125



3,47

m

Vtm

voltaje delantero máximo

ITM= 170A

25



1,10

V

dv/dt

Índice crítico de la subida de voltaje del en-estado

VDM=0.67VDRM

125



800

V/us

di/dt

Índice crítico de la subida de corriente del en-estado

IMT=52A

Disparador amplitudeIGR=1.5A actual de la puerta

Tr≤ actual 0.5us del tiempo de subida de la puerta

125



50

A/us

Igt

corriente del disparador de la puerta

VA=12V, IA=1A

25

30


100

mA

Vgt

voltaje de disparador de la puerta

0,8


2,5

V

Ih

corriente de tenencia

20


150

mA

Vgd

voltaje del no-disparador de la puerta

VDM=0.67VDRM

125

0,2



V

Rth (j-c)

Impedancia termal (nudo a descascar)

180℃ onda sinusoidal, sola disipación de calor lateral




0,530

℃ /W

Rth (c-h)

Impedancia termal (cáscara al radiador)

180℃ onda sinusoidal, sola disipación de calor lateral




0,2

℃ /W

Viso

voltaje del aislamiento



2500



V

Fm

montando el esfuerzo de torsión (M5)




4


Nanómetro

montando el esfuerzo de torsión (M6)




6


Nanómetro

Tstq

Temperatura de almacenamiento



-40


125

Peso

Calidad

110g





g

esquema

Aspecto

101f





* detalles que embalan: Cartón.
* detalles de la entrega: 7 días después de conseguir el pago. Tarjeta de presentación.


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Regulador del poder del SCR de los componentes Skkt162 16e del semiconductor de los módulos de poder del tiristor

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