Soporte superficial N de JY13M 40V y conductor Ic Chip del Mosfet del poder del canal de P
Number modelo:JY13M
Cantidad de orden mínima:1 sistema
Detalles de empaquetado:CARTÓN DEL PE BAG+
Lugar del origen:CHINA
Plazo de expedición:5-10 días
Condiciones de pago:T/T, L/C, Paypal
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Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No. 8 Tianshan Road, distrito de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, China.
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JY13M N y MOSFET del canal 40V de P para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY13M es los transistores del campo del poder del modo del
aumento de la lógica del canal de N y de P
Cuál puede proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El complementario
Los MOSFETs se pueden utilizar en H-puente, inversores y otros
usos.
CARACTERÍSTICAS
| Dispositivo | VBR (DSS) | RDS (ENCENDIDO) MAX TJ =25ºC | Paquete |
| Canal N | 40V | <30mΩ@VGS=10V, ID=12A | TO252-4L |
| <40mΩ@VGS=4.5V, ID=8A | |||
| P-canal | -40V | <45mΩ@VGS=-10V, ID=-12A | |
| <66mΩ@VGS=-4.5V, ID=-8A |
●Capacitancia entrada baja
●Velocidad que cambia rápida
Grados máximos absolutos (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Canal N | Canal de P | Unidad | |
| Drene el voltaje de la fuente | VDSS | 40 | -40 | V | |
| Voltaje de fuente de puerta | VDSS | ±20 | ±20 | ||
| Continuo Drene actual | Ta=25ºC | Identificación | 12 | -12 | |
| Ta=100ºC | 12 | -12 | |||
| Corriente pulsada del dren | IDM | 30 | -30 | ||
| Poder máximo Disipación | Ta=25ºC | Paladio | 2 | W | |
| Ta=70ºC | 1,3 | ||||
| Empalme y almacenamiento Gama de temperaturas | TJ TSTG | -55 a 150 | ºC | ||
| Resistencia termal Empalme a ambiente | RθJA | 10s | 25 | ºC/W | |
| Constante | 60 | ||||
| Resistencia termal Empalme a encajonar | RθJC | 5,5 | 5 | ºC/W |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en
forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | |
| Parásitos atmosféricos | |||||||
| VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | N-Ch | 1,7 | 2,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =-250UA | P-Ch | -1,7 | -2 | -3,0 | |||
| IGSS | Salida de la puerta Actual | VDS =0V, VGS =±20V | N-Ch | ±100 | nA | ||
| P-Ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual | VDS =40V, VGS =0V | N-Ch | 1 | UA | ||
| VDS =-40V, VGS =0V | P-Ch | -1 | |||||
| IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO) | Dren del En-estado Actual | VDS =5V, VGS =10V | N-Ch | 30 | |||
| VDS =-5V, VGS =-10V | P-Ch | -30 | |||||
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente En-estado Resistencia | VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =12A | N-Ch | 24 | 30 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICACIÓN =-12A | P-Ch | 36 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =8A | N-Ch | 31 | 40 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICACIÓN =-8A | P-Ch | 51 | 66 | ||||
| VSD | Diodo delantero Voltaje | ES =1.0A, VGS =0V | N-Ch | 0,76 | 1,0 | V | |
| ES =-1.0A, VGS =0V | P-Ch | -0,76 | -1,0 |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY13M
Soporte superficial N de JY13M 40V y conductor Ic Chip del Mosfet del poder del canal de P
Carro de la investigación
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