3 conductor del Mosfet de Bldc del circuito de puente de la fase 30A H

Number modelo:JY12M
Cantidad de orden mínima:1 sistema
Detalles de empaquetado:CARTÓN DEL PE BAG+
Lugar del origen:CHINA
Plazo de expedición:5-10 días
Condiciones de pago:T/T, L/C, Paypal
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Changzhou Jiangsu China
Dirección: No. 8 Tianshan Road, distrito de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, China.
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JY12M N y MOSFET del canal 30V de P para el conductor del motor de BLDC

 

 

 

DESCRIPCIÓN GENERAL


El JY12M es los transistores del campo del poder del modo del aumento de la lógica del canal de N y de P
se producen usando alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS. Esto de alta densidad
el proceso se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Estos dispositivos son
adaptado particularmente para el uso de la baja tensión tal como teléfono móvil y cuaderno
gestión del poder del ordenador y otros circuitos con pilas donde alto-lado
la transferencia, y el apagón en línea bajo son necesarios en una superficie muy pequeña del esquema
paquete del soporte.


CARACTERÍSTICAS

DispositivoRDS (ENCENDIDO) MAXIDMAX (25ºC)
Canal N20mΩ@VGS=10V8.5A
32mΩ@VGS=4.5V7.0A
P-canal45mΩ@VGS=-10V-5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V-4.1A


●Capacitancia entrada baja
●Velocidad que cambia rápida


USOS
Gestión del poder
●Convertidor de DC/DC
●Control de motor de DC
●LCD TV y inversor de la exhibición del monitor
●Inversor de CCFL

 

Grados máximos absolutos (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

ParámetroSímboloCanal NCanal de PUnidad
sec 10Constantesec 10Constante
Drene el voltaje de la fuenteVDSS30-30V
Voltaje de fuente de puertaVDSS±20±20
Continuo
Drene actual
ºC Ta=25Identificación8,56,5-7,0-5,3
ºC Ta=706,85,1-5,5-4,1
Corriente pulsada del drenIDM30-30
Poder máximo
Disipación
ºC Ta=25Paladio1,5W
ºC Ta=700,95
Empalme de funcionamiento
Temperatura
TJ-55 a 150ºC
Resistencia termal
Empalme a ambiente
RθJA6110062103ºC/W
Resistencia termal
Empalme a encajonar
RθJC1515ºC/W


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroCondicionesMinutoTipoMáximoUnidad
Parásitos atmosféricos
VGS (th)Umbral de la puerta
Voltaje
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UAN-Ch1,01,53,0V
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =-250UAP-Ch-1,0-1,5-3,0
IGSSSalida de la puerta
Actual
VDS =0V, VGS =±20VN-Ch±100nA
P-Ch±100
IDSSVoltaje cero de la puerta
Drene actual
VDS =30V, VGS =0VN-Ch1UA
VDS =-30V, VGS =0VP-Ch-1
IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO)Dren del En-estado
Actual
VDS ≥5V, VGS =10VN-Ch20
VDS ≤-5V, VGS =-10VP-Ch-20
RDS (ENCENDIDO)Dren-fuente
En-estado
Resistencia
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =7.4AN-Ch1520
VGS =-10V, IDENTIFICACIÓN =-5.2AP-Ch3845
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =6.0AN-Ch2332
VGS =-4.5V, IDENTIFICACIÓN =-4.0AP-Ch6585
VSDDiodo delantero
Voltaje
ES =1.7A, VGS =0VN-Ch0,81,2V
ES =-1.7A, VGS =0VP-Ch-0,8-1,2


 

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY12M

JY12M.pdf

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3 conductor del Mosfet de Bldc del circuito de puente de la fase 30A H

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