Duro cambiado circula 210W 3 conductor IC Circuit del motor de la fase BLDC

Number modelo:JY14M
Cantidad de orden mínima:1 sistema
Detalles de empaquetado:CARTÓN DEL PE BAG+
Lugar del origen:CHINA
Plazo de expedición:5-10 días
Condiciones de pago:T/T, L/C, Paypal
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Changzhou Jiangsu China
Dirección: No. 8 Tianshan Road, distrito de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, China.
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MOSFET del poder de JY14M N Channel Enhancement Mode para el conductor del motor de BLDC

 

 

DESCRIPCIÓN GENERAL


El JY14M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.


CARACTERÍSTICAS
40V/200A, RDS (ENCENDIDO) =2.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor


USOS
Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor

 

Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroLímiteUnidad
VDSVoltaje de la Dren-fuente40V
VGSVoltaje de la Puerta-fuente± 20V
IdentificaciónDren continuo
Actual
Tc=25ºC200
Tc=100ºC130
IDMCorriente pulsada del dren720
PaladioDisipación de poder máxima210W
TJ TSTGTemperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
Gama
-55 a +175ºC
RθJCResistencia-empalme termal a encajonar0,65ºC/W
RθJAResistencia-empalme termal a ambiente62


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroCondicionesMinutoTipoMáximoUnidad
Características estáticas
BVDSSDren-fuente
Voltaje de avería
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA40V
IDSSVoltaje cero de la puerta
Drene actual
VDS =100V, VGS =0V1UA
IGSSSalida del Puerta-cuerpo
Actual
=± 20V, VDS =0V de VGS± 100nA
VGS (th)Umbral de la puerta
Voltaje
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA2,03,04,0V
RDS (ENCENDIDO)Dren-fuente
resistencia del En-estado
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =60A2,5
gFSDelantero
Transconductancia
VDS =20V, IDENTIFICACIÓN =60A100S


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroCondicionesMinutoTipoMáximoUnidad
Características de diodo de la Dren-fuente
VSDDiodo delantero
Voltaje
VGS =0V, DSI =100A1,2V
TrrTiempo de recuperación reversaDSI =100A
di/dt=100A/us
38ns
QrrCarga reversa de la recuperación58nC
Características dinámicas
RGResistencia de la puertaVGS =0V, VDS =0V,
f=1MHZ
1,2Ω
TD (encendido)Tiempo de retraso de aberturaVDS =20V, RG =6Ω,
Identificación =100A,
VGS =10V,
34ns
TrTiempo de subida de abertura22
TD (apagado)Tiempo de retraso de la vuelta-apagado48
TfTiempo de caída de la vuelta-apagado60
CISSCapacitancia entradaVGS =0V,
VDS =20V,
f=1.0MHz
5714PF
COSSCapacitancia de salida1460
CRSSTransferencia reversa
Capacitancia
600
QgCarga total de la puertaVDS =30V, IDENTIFICACIÓN =100A,
VGS =10V
160nC
QgsCarga de la Puerta-fuente32
QgdCarga del Puerta-dren58


 


 

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY14M

JY14M.pdf

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