Sistema aumentado plasma de la deposición de vapor químico del ISO 1000KW

Number modelo:XDEM-1200T-PECVD
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:1 sistema
Condiciones de pago:L/C, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:60 sistemas por mes
Plazo de expedición:15 días laborables
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Nanyang Henan China
Dirección: 1-404 CITY SPRING GARDEN, FANLI ROAD, ciudad de NANYANG, provincia de HENAN, República Popular China
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Máquina aumentada plasma del sistema de la deposición de vapor químico PECVD

 

El sistema de PECVD, ionizando el gas átomo-que contiene con microonda o radiofrecuencia, crea el plasma activa localmente, que reaccionará fácil para depositar y para formar la película fina prevista. Es conveniente para el proceso de PECVD, tal como carburo de silicio que cubre la prueba de cerámica de la conductividad del substrato, el crecimiento controlado de los nanostructures de ZnO, el experimento de cerámica de la sinterización del atomosphere de los condensadores (MLCC), el etc.

 

Exhibición del producto:

 

 

 

Embalaje y envío:

Caja de madera con el polyfoam llenado dentro para asegurar el transporte seguro.

 

Los paquetes se pueden enviar por el mar, por el aire, por expreso, el etc por la petición del cliente.

 

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