El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero
Number modelo:DB3
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:5K PCS
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:800KK PCS por mes
Plazo de expedición:10 productos frescos de los días del trabajo
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Miembro activo
Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Diodo bidireccional de cristal rojo 150mW 32V DO-35 del disparador
DB3 a través del DIAC del agujero
DB3
DIODO BIDIRECCIONAL DEL DISPARADOR
Voltaje de continuación - 32 voltios de poder 150mW
Detalles del producto
La pequeña estructura de cristal asegura alta confiabilidad
VBO: versión 28-36V
Corriente de continuación baja
El soldar de alta temperatura garantizó 250 C/10 segundos, 0,375"
la longitud de la ventaja (de 9.5m m), 5 libras. tensión (2.3kg)
DATOS MECÁNICOS
Caso: Cuerpo plástico cuerpo/A-405 de vidrio de JEDEC DO-35
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750, método
2026
Posición de montaje: Ningunos
Peso: DO-35 0,005 onzas, 0.14gram
A-405 0,008 onzas,
0.23gram
GRADOS Y CARACTERÍSTICAS MÁXIMOS
CONDICIÓN DE PRUEBA | SÍMBOLOS | VALOR | UNIDADES | |||
| Mínimo. | Tipo. | Máximo. | ||||
Voltaje de continuación | C=22nF | VBO | 28 | 32 | 36 | VOLTIOS |
Simetría del voltaje de continuación | C=22nF | I+VBOI-I-VBOI | -3 | 3 | VOLTIOS | |
Voltaje de continuación dinámico | (NOTA 1) | ± I DE I D V | 5 | VOLTIOS | ||
Voltaje de salida | DIAGRAM2 | Vo | 5 | VOLTIOS | ||
Corriente de continuación | C=22nF | IBO | 100 | mA | ||
Tiempo de subida | DIAGRAM3 | tr | 1,5 | ms | ||
Salida actual | VR=0.5VBO | IB | 10 | mA | ||
Disipación de poder en el circuito impreso | TA=65 C | Paladio | 150 | mW | ||
Corriente máxima repetidor del en-estado | tp=20ms f=100Hz | ITRM | 2 | |||
Resistencias termales del empalme a ambiente | RQJA | 400 | ℃/W | |||
Resistencias termales del empalme a llevar | RQJL | 150 | ℃/W | |||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de
almacenamiento | TJ, TSTG | 125 | ℃ | |||
Ficha técnica del producto
| Tipo | Voltaje de continuación | Simetría máxima del voltaje de continuación | Corriente de continuación de Max. Peak | Voltaje de continuación de Max. Dynamic | Corriente del En-estado de Max. Peak | Paquete | ||
| V | V | μA | V | |||||
| Mínimo. | Tipo. | Máximo. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero
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