Embalaje superficial del carrete del soporte SMA SMD del diodo bidireccional del disparador del DIAC de DB6 DB4 DB3
Number modelo:DB3
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:5K PCS
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:800KK PCS por mes
Plazo de expedición:10 productos frescos de los días del trabajo
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Miembro activo
Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
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Dentro de 2 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Embalaje bidireccional del carrete del diodo SMD DB3 DB4 DB6 del
disparador del DIAC superficial del soporte SMA
DB3
DIODO BIDIRECCIONAL DEL DISPARADOR
Voltaje de continuación - 32 voltios de poder 150mW
Detalles del producto
La pequeña estructura de cristal asegura alta confiabilidad
VBO: versión 28-36V
Corriente de continuación baja
El soldar de alta temperatura garantizado
250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m),
5 libras. tensión (2.3kg)
DATOS MECÁNICOS
Caso: JEDEC DO-214AC moldeó el cuerpo plástico
Terminales: La soldadura plateó, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,002 onzas, 0,07 gramos
GRADOS Y CARACTERÍSTICAS MÁXIMOS
CONDICIÓN DE PRUEBA | SÍMBOLOS | VALOR | UNIDADES | |||
| Mínimo. | Tipo. | Máximo. | ||||
Voltaje de continuación | C=22nF | VBO | 35 | 40 | 45 | VOLTIOS |
Simetría del voltaje de continuación | C=22nF | I+VBOI-I-VBOI | -3 | 3 | VOLTIOS | |
Voltaje de continuación dinámico | (NOTA 1) | ± I DE I D V | 5 | VOLTIOS | ||
Voltaje de salida | DIAGRAM2 | Vo | 5 | VOLTIOS | ||
Corriente de continuación | C=22nF | IBO | 100 | mA | ||
Tiempo de subida | DIAGRAM3 | tr | 1,5 | ms | ||
Salida actual | VR=0.5VBO | IB | 10 | mA | ||
Disipación de poder en el circuito impreso | TA=65 C | Paladio | 150 | mW | ||
Corriente máxima repetidor del en-estado | tp=20µs f=100Hz | ITRM | 2 | |||
Resistencias termales del empalme a ambiente | RQJA | 400 | ℃/W | |||
Resistencias termales del empalme a llevar | RQJL | 150 | ℃/W | |||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de
almacenamiento | TJ, TSTG | -40 | 125 | ℃ | ||
Ficha técnica del producto
| Tipo | Voltaje de continuación | Simetría máxima del voltaje de continuación | Corriente de continuación de Max. Peak | Voltaje de continuación de Max. Dynamic | Corriente del En-estado de Max. Peak | Paquete | ||
| V | V | μA | V | |||||
| Mínimo. | Tipo. | Máximo. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
Embalaje superficial del carrete del soporte SMA SMD del diodo bidireccional del disparador del DIAC de DB6 DB4 DB3
Carro de la investigación
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