CÉSPED rápido 123 del poder más elevado 1N4148W del diodo de transferencia de la pequeña señal de SMD
Number modelo:1N4148W
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:3K PCS
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:800KK PCS por mes
Plazo de expedición:10 productos frescos de los días del trabajo
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Miembro activo
Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
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Dentro de 2 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOD-123 diodo de transferencia de la señal del silicio plástico del
paquete del caso SMD pequeño 1N4148W
CARACTERÍSTICAS
Velocidad que cambia rápida
Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la
inserción automática
Para el uso que cambia de fines generales
Alta conductancia
DATOS MECÁNICOS
Caso: SOD-123 moldeó el cuerpo plástico
Terminales: Solderable por MIL-STD-750, método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,01 gramos (de aproximado)
Dibujo del producto
Grados máximos absolutos (TA = 25℃)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
Voltaje reverso máximo sin repetición | VRM | 100 | V |
Voltaje reverso | VR | 75 | V |
Corriente delantera rectificada media | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 150 | mA |
Corriente continua delantera | IFM | 300 | mA |
Sobretensión delantera máxima sin repetición en t = µs 1 en t = ms 100 | IFSM | 2 1 | |
Disipación de poder | Ptot | 400 | mW |
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente | RθJA | 450 | ℃/W |
Gama de temperaturas de funcionamiento | Tj | - 65 a + 150 | ℃ |
Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | - 65 a + 150 | ℃ |
Características en TA =℃ 25
Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Máximo. | Unidad |
|---|---|---|---|---|
Voltaje de avería reverso en IR = 1 µA | V (BR) R | 75 | - | V |
Voltaje delantero en SI = 1 mA en SI = 10 mA en SI = 50 mA en SI = 150 mA | VF | - | 0,715 0,855 1 1,25
| V |
Corriente reversa máxima en VR = 75 V en VR = 20 V en VR = 75 V, TJ =℃ 150 en VR = 25 V, TJ =℃ 150 | IR | - | 1 25 50 30 | µA nA µA µA |
Capacitancia total en VR = 0 V, f = 1 megaciclo | CT | - | 2 | PF |
Tiempo de recuperación reversa en IRR = 0,1 X IR, SI = IR = 10 mA, RL = Ω 100 | trr | - | 4 | ns |
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS
CÉSPED rápido 123 del poder más elevado 1N4148W del diodo de transferencia de la pequeña señal de SMD
Carro de la investigación
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