el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales
Number modelo:1N4148
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:5K PCS
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:800KK PCS por mes
Plazo de expedición:10 productos frescos de los días del trabajo
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Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
tipo axial diodo de silicio rápido de la pequeña señal que cambia
1N4148 del caso de cristal de 0.15A 100V DO-35
1N4148
DIODOS QUE CAMBIAN DE ALTA VELOCIDAD
Voltaje reverso - 100 voltios adelante de actual - 0,15 amperios
| Número de parte. | Paquete |
| 1N4148 | Vidrio DO-35 |
| LL4148 | MINI MELF |
| 1N4148W | SOD-123 |
| 1N4148WS | SOD-323 |
| 1N4148WT | SOD-523 |
Dibujo del producto
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
SÍMBOLOS | 1N4148 | UNIDADES | |
Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 100 | VOLTIOS |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 75 | VOLTIOS |
La media máxima adelante rectificó 0,375" actual (9.5m
m) longitud de la ventaja en TA=25 C | YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 150 | mAmps |
Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola
media 8.3ms sobrepuesto en la carga clasificada (método
de JEDEC) | IFSM | 500 | mAmps |
Voltaje delantero instantáneo máximo en 10mA | VF | 1,0 | Voltios |
Revés máximo TA=25 actual C VR=75V de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100 C VR=20V | IR | 5,0 50 | µA |
Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1) | trr | 4,0 | ns |
Capacitancia de empalme típica (NOTA 2) | CJ | 4,0 | PF |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de
almacenamiento | TJ, TSTG | -65 a +200 | ℃ |
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo
contrario.
La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo,
para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal
por el 20%.
NOTAS:
condición 1.Test: IF=10mA, IR=10mA, Irr=1mA, VR=6V, RL=100Ω.
2.Measured en 1,0 megaciclos y el voltaje reverso aplicado de 4,0
voltios
CARACTERÍSTICAS
Diodo planar epitaxial del silicio
Diodos que cambian
disipación de poder 500mw
El soldar de alta temperatura garantizado
250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m),
5 libras. tensión (2.3kg)
DATOS MECÁNICOS
Caso: Sobre sellado de cristal DO-35.
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por
MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,005 onzas, 0,14 gramos (DO-35)
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS 1N4148
el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales
Carro de la investigación
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