Diodo de rectificador dual de la barrera de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT
Number modelo:MBRF10100CT
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:PC 1K
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:800KK PCS por mes
Plazo de expedición:10 productos frescos de los días del trabajo
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Changzhou Jiangsu China
Dirección:
No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Diodo de rectificador dual de la barrera de Schottky del estuche de
plástico 10A 20A 100V 200V MBRF10100CT MBRF20150CT
MBRF1020CT CON MBRF10200CT
RECTIFICADORES DE LA BARRERA DE SCHOTTKY
Voltaje reverso - 20 a 200 voltios adelante de actual - 10 amperios
Características de producto
El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores
Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad
Empalme del silicio del metal, conducción del portador de mayoría
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
Caída de voltaje delantera baja, capacidad de gran intensidad
El soldar de alta temperatura garantizó:
260 C/10 segundos, 0,25" (6.35m m) de caso
Para el uso en la baja tensión, los inversores de alta frecuencia,
liberan
el rodar, y usos de la protección de la polaridad
Anillo de guardia para la protección excesiva del voltaje
Datos mecánicos
Caso: JEDEC ITO-220AB moldeó plástico
Terminales: Ventajas, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: Según lo marcado
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 1,74 gramos
GRADOS MÁXIMOS
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo
contrario.
La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo,
para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal
por el 20%.
| SÍMBOLOS | MBR 1020 CT | MBR 1030 CT | MBR 1040 CT | MBR 1050 CT | MBR 1060 CT | MBR 1070 CT | MBR 1080 CT | MBR 1090 CT | MBR 10100 CT | MBR 10150 CT | MBR 10200 CT | UNIDADES | |
| Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 150 | 200 | VOLTIOS |
| Voltaje máximo del RMS | VRMS | 14 | 21 | 28 | 35 | 42 | 49 | 56 | 63 | 70 | 105 | 140 | VOLTIOS |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 150 | 200 | VOLTIOS |
| La media máxima adelante rectificó 0,375" actual la longitud de la ventaja (de 9.5m m) (véase fig.1) | YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 10,0 | Amperios | ||||||||||
| Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) |
IFSM | 150,0 |
Amperios | ||||||||||
| Voltaje delantero instantáneo máximo en 5.0A | VF | 0,7 | 0,8 | 0,85 | 0,95 | Voltios | |||||||
Revés máximo TA=25℃ actual de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃ | IR | 0,1 | mA | ||||||||||
| 15 | |||||||||||||
| Capacitancia de empalme típica (NOTA 1) | CJ | 500 | PF | ||||||||||
| Resistencia termal típica (NOTA 2) | RθJC | 4 | ℃/W | ||||||||||
| Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | TJ, | -65 a +150 | ℃ | ||||||||||
| Gama de temperaturas de almacenamiento | TSTG | -65 a +150 | ℃ | ||||||||||
Nota: 1.Measured en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
resistencia 2.Thermal del empalme a encajonar.
CURVAS CARACTERÍSTICAS
Diodo de rectificador dual de la barrera de Schottky 10A 100V 20A 200V Mbrf10100ct MBRF20150CT
Carro de la investigación
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