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Diodo de rectificador estándar del silicio 3A 600V 800V 1000V 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
Dibujo del producto
SÍMBOLOS | 1N 5400 | 1N 5401 | 1N 5402 | 1N 5403 | 1N 5404 | 1N 5405 | 1N 5406 | 1N 5407 | 1N 5408 | UNIDADES | |
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | VOLTIOS |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 | VOLTIOS |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | VOLTIOS |
La media máxima adelante rectificó actual 0,375"
longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃ | YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 3,0 | Amperios | ||||||||
Mitad delantera máxima de la sobretensión sola 8.3ms
onda sinusoidal sobrepuesta en carga clasificada
(Método de JEDEC) | IFSM | 150 | Amperios | ||||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 3.0A | VF | 1,0 | VOLTIOS | ||||||||
Revés máximo TA=25 actual de DC en clasificado
Voltaje de bloqueo de DC TA=100℃ | IR | 5,0 100 | µA | ||||||||
Capacitancia de empalme típica (NOTA 1) | CJ | 30,0 | PF | ||||||||
Resistencia termal típica (NOTA 2) | RθJA | 20,0 | ℃/W | ||||||||
Temperatura de funcionamiento del empalme y de
almacenamiento gama | TJ, TSTG | -65 a +175 | ℃ |