Transistor de alto voltaje MMBT5551 del amplificador de fines generales del silicio NPN
Number modelo:MMBT5551
Cantidad de orden mínima:10 PC
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:1kk/months
Plazo de expedición:1-7 días
Detalles de empaquetado:cartón
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Miembro del sitio
Shenzhen China
Dirección:
Sitio A202, A constructiva, No.6 camino huanping, comunidad de Gaoqiao, calle de Pingdi, distrito de Longgang, Shenzhen 518117
Proveedor Último login veces:
Dentro de 23 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
2N5551 / Silicio de alto voltaje de fines generales del transistor NPN del amplificador MMBT5550LT1 de MMBT5551 NPN
SOT-23 - Transistor de poder y Darlingtons
Número de parte
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56
CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T
CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Características eléctricas
Mfr. # | MMBT5551 |
| Montaje de estilo | SMD/SMT |
| Polaridad del transistor | NPN |
| Configuración | Solo |
| Voltaje VCEO del emisor del colector máximo | 160 V |
| Voltaje bajo VCBO del colector | 180 V |
| Voltaje bajo VEBO del emisor | 6 V |
| Voltaje de saturación del Colector-emisor | 0,2 V |
| Corriente de colector máxima de DC | 0,6 A |
| Paladio - disipación de poder | 325 mW |
| Producto pie del ancho de banda del aumento | 300 megaciclos |
| Temperatura de funcionamiento mínima | - 55 C |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento | 80 en 10 mA, 5 V |
| HFE del aumento actual de DC máximo | 250 en 10 mA, 5 V |
| Tipo de producto | BJTs - transistores bipolares |
Características eléctricas (en TA =°C 25 salvo especificación de lo contrario)
Transistor de alto voltaje MMBT5551 del amplificador de fines generales del silicio NPN
Carro de la investigación
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