oblea de CdSe CdTe ZnS ZnSe de los Cdes de la oblea de 350um ZnO y oblea de ZnTe

Number modelo:Ms
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por mes
Plazo de expedición:3 días laborables
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Zhengzhou Henan China
Dirección: No. 26, calle de Dongqing, zona de alta tecnología, Zhengzhou, Henan, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

 

Oblea de la oblea, de los Cdes de ZnO, oblea de CdSe, oblea de CdTe, oblea de ZnS, oblea de ZnSe y oblea de ZnTe

 

Proporcionamos la sola oblea cristalina de ZnO de la pureza elevada y el bulto de ZnO para el dispositivo de poder, los usos del LED, del sensor y del detector. Con una estructura cristalina ideal, la oblea de ZnO (óxido de cinc) tiene una unión mal hecha del enrejado del 2% a GaN, de que es mucho menos que la unión mal hecha del enrejado de la oblea del zafiro y sic de la oblea. La oblea de ZnO es una del substrato más conveniente para usar como el crecimiento epitaxial de GaN y uso amplio del semiconductor del hueco de banda. La oblea de ZnO se suministra en la forma cuadrada, sin impurificar, talla 10 x 10 x 0,5 milímetros, los lados dobles pulieron el final superficial y orientado, nuestra oblea de alta calidad de ZnO ha sido ampliamente utilizada para el crecimiento de

dispositivos de la base del nitruro. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

Uso de la oblea de ZnO

 

Crecimiento epitaxial de GaNDetectores ULTRAVIOLETA
Dispositivos de poderDispositivos luminescentes
FotovoltaicoSensores

 

Propiedades de la oblea de ZnO

 
Fórmula químicaZnO
Estructura cristalinaHexagonal
Enreje constante3,3 A
Unión mal hecha del enrejado con GaN en el avión de <0001>9
Conductividad termal0,006 calorías/cm /K
Índice de refracción2.0681 / 2,0510
Cara pulida identificadaZn - cara/O - cara

Especificación de producto

 
CrecimientoHidrotérmico
Bulto/bloque de ZnO26,5 x 26,5 x 10 milímetros
Oblea de ZnO10 x 10 x 0,5 milímetros
OrientaciónCara <0001> del Zn/cara <000-1> de O
Resistencia500 - 1000 ohmio-cm
Superficiedos lados pulidos
Aspereza<= 10 A del Ra
PaqueteCaja de Membrance

 

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