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Oblea de la oblea, de los Cdes de ZnO, oblea de CdSe, oblea de CdTe, oblea de ZnS, oblea de ZnSe y oblea de ZnTe
Proporcionamos la sola oblea cristalina de ZnO de la pureza elevada y el bulto de ZnO para el dispositivo de poder, los usos del LED, del sensor y del detector. Con una estructura cristalina ideal, la oblea de ZnO (óxido de cinc) tiene una unión mal hecha del enrejado del 2% a GaN, de que es mucho menos que la unión mal hecha del enrejado de la oblea del zafiro y sic de la oblea. La oblea de ZnO es una del substrato más conveniente para usar como el crecimiento epitaxial de GaN y uso amplio del semiconductor del hueco de banda. La oblea de ZnO se suministra en la forma cuadrada, sin impurificar, talla 10 x 10 x 0,5 milímetros, los lados dobles pulieron el final superficial y orientado, nuestra oblea de alta calidad de ZnO ha sido ampliamente utilizada para el crecimiento de
dispositivos de la base del nitruro. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
Uso de la oblea de ZnO
Crecimiento epitaxial de GaN | Detectores ULTRAVIOLETA |
Dispositivos de poder | Dispositivos luminescentes |
Fotovoltaico | Sensores |
Propiedades de la oblea de ZnO
Fórmula química | ZnO |
Estructura cristalina | Hexagonal |
Enreje constante | 3,3 A |
Unión mal hecha del enrejado con GaN en el avión de <0001> | 9 |
Conductividad termal | 0,006 calorías/cm /K |
Índice de refracción | 2.0681 / 2,0510 |
Cara pulida identificada | Zn - cara/O - cara |
Especificación de producto
Crecimiento | Hidrotérmico |
---|---|
Bulto/bloque de ZnO | 26,5 x 26,5 x 10 milímetros |
Oblea de ZnO | 10 x 10 x 0,5 milímetros |
Orientación | Cara <0001> del Zn/cara <000-1> de O |
Resistencia | 500 - 1000 ohmio-cm |
Superficie | dos lados pulidos |
Aspereza | <= 10 A del Ra |
Paquete | Caja de Membrance |