500Um a 625Um GaAs basó el grado mecánico pulido oblea del grado de Epi

Number modelo:Ms
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por mes
Plazo de expedición:3 días laborables
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Zhengzhou Henan China
Dirección: No. 26, calle de Dongqing, zona de alta tecnología, Zhengzhou, Henan, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 

 

El GaAs basó la oblea de Epi

 

Proporcionamos crecimiento epitaxial del MBE/del MOCVD de la estructura de encargo en el substrato del GaAs para la microelectrónica, optoelectrónica y usos de la microonda del RF, en el diámetro Ø 3" a Ø 4". Con nuestra experiencia extensa del MOCVD, podemos crecer la aleación binaria (LT-GaAs, AlAs) o la aleación ternaria (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) en el substrato del GaAs, las estructuras del superretículo de la capa del singel o de la múltiple-capa con calidad cristalina superior para cubrir una variedad de necesidades del dispositivo. Nuestros expertos altamente expertos pueden trabajar con usted para diseñar y para optimizar su estructura de capa del epi del GaAs. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto o discuta su estructura de capa del epi.

El GaAs basó capacidad de la oblea de Epi

Nuestros reactores se configuran para una variedad de sistemas materiales y de condiciones de proceso. Podemos proporcionar la epitaxia de encargo para una variedad de aplicaciones para dispositivos que se extienden del LED a los HEMTs.
 

Capacidad materialSubstratoTamaño de la oblea
GaAs/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas
LT-GaAs/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas
AlAs/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas
InAs/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas
AlGaAs/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas
InGaAs/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas
InGaP/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas
GaAsP/GaAsOblea del GaAsHasta 4 pulgadas

 

Usos optoelectrónicos:

Fotodetectores, VCSELs, diodos láser, LED, SOAs, guías de onda.

Usos electrónicos:

FETs, HBTs, HEMTs, diodos, dispositivos de la microonda.

 

 

Estructura de capa de Epi (HEMT/HBT)

 
CrecimientoMOCVD
Fuente del dopanteEl tipo de P/sea, el tipo/Si de N
Capa del casquilloCapa yo-GaAs
Capa activacapa de los n-AlGaAs
Capa del espaciocapa de los i-AlGaAs
Capa del almacenador intermediarioCapa yo-GaAs
Substrato/Ø 4" Ø 3" oblea del GaAs

 

China 500Um a 625Um GaAs basó el grado mecánico pulido oblea del grado de Epi supplier

500Um a 625Um GaAs basó el grado mecánico pulido oblea del grado de Epi

Carro de la investigación 0