2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos

Number modelo:Ms
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por mes
Plazo de expedición:3 días laborables
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Miembro activo
Zhengzhou Henan China
Dirección: No. 26, calle de Dongqing, zona de alta tecnología, Zhengzhou, Henan, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 

Oblea de InAs (arseniuro del indio)

 

Proporcionamos la oblea de InAs (arseniuro del indio) a la industria de la optoelectrónica en diámetro hasta 2 pulgadas. El cristal de InAs es un compuesto formado por 6N puro en y como elemento y es crecido por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) con EPD < 15000 cm -3. El cristal de InAs tiene alta uniformidad de parámetros eléctricos y de la densidad baja del defecto, conveniente para el crecimiento epitaxial del MBE o del MOCVD. Tenemos productos listos de InAs del “epi” con la opción amplia en exacto o de la orientación, concentración dopada baja o alta y el final superficial. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

Oblea compuesta de III-V

Proporcionamos una amplia gama de oblea compuesta incluyendo la oblea del GaAs, la oblea de Gap, la oblea de GaSb, la oblea de InAs, y la oblea del INP.

 

Eléctrico y dopando la especificación

Especificación de producto

 

CrecimientoLEC
Diámetro/Ø 3" Ø 2"
Grueso500 um ~ 625 um
Orientación<100>/<111>/<110> u otros
De la orientaciónDe 2° a 10°
SuperficieUn lado pulió o dos lados pulidos
Opciones planasEJ o SEMI. Estándar.
TTV<= 10 um
EPD<= 15000 cm2s
GradoEpi pulió el grado/el grado mecánico
PaqueteSolo envase de la oblea
 

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2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos

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